目 录__eol__第1章 绪论 1__eol__1.1 微电子学和集成电路 1__eol__1.2 集成电路的发展简史 2__eol__1.2.1 第一个晶体管的发明 2__eol__1.2.2 第一块集成电路 3__eol__1.2.3 集成电路蓬勃发展 4__eol__1.2.4 集成电路的发展特点和规律 5__eol__1.3 集成电路的分类 7__eol__1.3.1 按器件结构类型分类 7__eol__1.3.2 按集成电路规模分类 8__eol__1.3.3 按电路功能分类 9__eol__1.4 集成电路设计制造流程和产业构成 10__eol__1.5 微电子学的发展方向 11__eol__1.5.1 后CMOS纳米器件的发展 12__eol__1.5.2 新一代半导体材料 13__eol__1.5.3 微型传感器 14__eol__1.5.4 超越摩尔定律 14__eol__习题1 15__eol__参考文献 15__eol__第2章 半导体物理基础 16__eol__2.1 固体晶格结构 16__eol__2.1.1 半导体材料 16__eol__2.1.2 固体类型 17__eol__2.1.3 空间晶格结构 18__eol__2.1.4 原子价键 19__eol__2.2 固体量子理论初步 20__eol__2.2.1 量子态 20__eol__2.2.2 能级 21__eol__2.2.3 能带理论 22__eol__2.2.4 导体、半导体、绝缘体的能带 24__eol__2.3 半导体的掺杂 24__eol__2.3.1 半导体中的载流子 25__eol__2.3.2 本征半导体 26__eol__2.3.3 杂质半导体及其杂质能级 26__eol__2.3.4 杂质的补偿作用 29__eol__2.4 半导体中载流子的统计分布 30__eol__2.4.1 状态密度 30__eol__2.4.2 热平衡和费米分布函数 31__eol__2.4.3 电子和空穴的平衡分布 33__eol__2.4.4 本征半导体的载流子浓度 35__eol__2.4.5 杂质半导体的载流子浓度 36__eol__2.5 载流子的漂移与半导体的导电性 40__eol__2.5.1 载流子的热运动 40__eol__2.5.2 载流子的漂移运动和迁移率 41__eol__2.5.3 迁移率和半导体的导电性 42__eol__2.5.4 载流子的散射 43__eol__2.5.5 影响迁移率的主要因素 44__eol__2.5.6 电阻率与掺杂浓度、温度的关系 46__eol__2.6 非平衡载流子 48__eol__2.6.1 非平衡载流子的产生与复合 48__eol__2.6.2 准费米能级 50__eol__2.6.3 载流子的扩散运动 51__eol__2.6.4 爱因斯坦关系式 53__eol__2.6.5 连续性方程 54__eol__习题2 55__eol__参考文献 57__eol__第3章 半导体器件物理基础 58__eol__3.1 PN结 58__eol__3.1.1 PN结的形成 58__eol__3.1.2 平衡PN结 59__eol__3.1.3 PN结的正向特性 65__eol__3.1.4 PN结的反向特性 68__eol__3.1.5 PN结的击穿特性 70__eol__3.1.6 PN结的电容效应 72__eol__3.1.7 PN结的开关特性 74__eol__3.2 双极型晶体管 75__eol__3.2.1 双极型晶体管的基本结构 76__eol__3.2.2 双极型晶体管的电流放大原理 77__eol__3.2.3 双极型晶体管的直流特性曲线 83__eol__3.2.4 双极型晶体管的反向电流和击穿特性 86__eol__3.2.5 双极型晶体管的频率特性 88__eol__3.2.6 双极型晶体管的开关特性 89__eol__3.3 MOS场效应晶体管 92__eol__3.3.1 MOS场效应晶体管的基本结构 92__eol__3.3.2 MIS结构 94__eol__3.3.3 MOS场效应晶体管的直流特性 97__eol__3.3.4 MOS场效应晶体管的交流特性 102__eol__3.3.5 MOS场效应晶体管的种类 106__eol__3.4 集成电路中的器件结构 108__eol__3.4.1 电学隔离 108__eol__3.4.2 二极管的结构 109__eol__3.4.3 双极型晶体管的结构 110__eol__3.4.4 MOS场效应晶体管的结构 111__eol__习题3 112__eol__参考文献 113__eol__第4章 大规模集成电路基础 114__eol__4.1 CMOS反相器 114__eol__4.1.1 直流特性 114__eol__4.1.2 开关特性 115__eol__4.1.3 功耗特性 116__eol__4.1.4 CMOS反相器的版图 118__eol__4.1.5 基于FinFET结构的反相器 119__eol__4.2 CMOS逻辑门 121__eol__4.2.1 CMOS与非门和或非门 121__eol__4.2.2 等效反相器设计 123__eol__4.2.3 其他CMOS逻辑门 123__eol__4.3 MOS晶体管开关逻辑 129__eol__4.3.1 数据选择器（MUX） 129__eol__4.3.2 多路转换开关 130__eol__4.4 典型CMOS时序逻辑电路 131__eol__4.4.1 RS锁存器 131__eol__4.4.2 D锁存器和边沿触发器 132__eol__4.4.3 施密特触发器 134__eol__4.5 存储器 135__eol__4.5.1 只读存储器（ROM） 136__eol__4.5.2 静态随机存储器（SRAM） 138__eol__4.5.3 快闪电擦除可编程只读存储器 140__eol__习题4 141__eol__参考文献 141__eol__第5章 集成电路制造工艺 142__eol__5.1 平面硅工艺的基本流程 142__eol__5.1.1 集成电路工艺分类 142__eol__5.1.2 CMOS集成电路工艺发展历史 143__eol__5.1.3 集成电路制造的工艺流程 145__eol__5.1.4 集成电路制造的工序分类 149__eol__5.2 硅晶圆的制备 149__eol__5.2.1 硅晶圆制备的基本过程 150__eol__5.2.2 多晶硅的制备 150__eol__5.2.3 单晶硅的制备 151__eol__5.2.4 单晶硅的后处理 152__eol__5.3 氧化 155__eol__5.3.1 SiO2的结构和参数 155__eol__5.3.2 SiO2在集成电路中的应用 156__eol__5.3.3 热氧化前清洗 157__eol__5.3.4 热氧化方法 157__eol__5.3.5 氧化薄膜的质量检测 159__eol__5.3.6 其他热处理过程 160__eol__5.4 光刻 161__eol__5.4.1 光刻的基本要求 161__eol__5.4.2 光刻的基本流程 162__eol__5.4.3 刻蚀工艺 164__eol__5.4.4 光刻胶 166__eol__5.4.5 曝光方式 166__eol__5.4.6 超细线条光刻技术 167__eol__5.5 掺杂 169__eol__5.5.1 扩散的基本原理 169__eol__5.5.2 扩散的主要方法 170__eol__5.5.3 离子注入技术 171__eol__5.5.4 离子注入设备 172__eol__5.5.5 离子注入后的退火过程 174__eol__5.6 金属化 174__eol__5.6.1 金属材料 174__eol__5.6.2 金属的淀积工艺 175__eol__5.6.3 大马士革工艺 177__eol__5.6.4 金属硅化物及复合栅 178__eol__5.6.5 多层互连结构 179__eol__5.7 集成电路封装 179__eol__5.7.1 减薄与划片 179__eol__5.7.2 IC封装概述 180__eol__5.7.3 一级封装 181__eol__5.7.4 二级封装 182__eol__5.7.5 先进封装技术介绍 183__eol__习题5 186__eol__参考文献 186__eol__第6章 集成电路工艺仿真 188__eol__6.1 TCAD软件简介 188__eol__6.1.1 TCAD仿真原理 188__eol__6.1.2 Silvaco TCAD简介 189__eol__6.1.3 TCAD软件的发展方向 191__eol__6.2 单步工艺的仿真实现 192__eol__6.2.1 干法氧化工艺的仿真 192__eol__6.2.2 离子注入工艺的仿真 195__eol__6.3 NMOS器件工艺仿真及器件特性分析 197__eol__6.3.1 NMO