第1章 半导体物理基础 1__eol__1.1 半导体晶格 1__eol__1.1.1 半导体材料 1__eol__1.1.2 晶体的晶向与晶面 2__eol__1.1.3 典型半导体的晶体结构 4__eol__1.2 半导体电子模型 5__eol__1.2.1 价键模型 5__eol__1.2.2 能带模型 7__eol__1.2.3 本征半导体的分布函数 11__eol__1.2.4 半导体中的E-k关系和有效质量 14__eol__1.3 载流子的运动与控制 17__eol__1.3.1 半导体的掺杂 17__eol__1.3.2 掺杂半导体的载流子分布 20__eol__1.3.3 掺杂半导体的载流子运动方程 28__eol__1.3.4 载流子的复合理论 39__eol__1.4 思考题和习题1 42__eol__第2章 半导体器件中的结与电容 44__eol__2.1 pn结 44__eol__2.1.1 结构与组成 44__eol__2.1.2 静电特性 46__eol__2.1.3 稳态响应 53__eol__2.1.4 瞬态响应 67__eol__2.2 异质结 71__eol__2.2.1 形成异质结的材料 71__eol__2.2.2 能带图 71__eol__2.2.3 二维电子气 73__eol__2.2.4 静电平衡态 74__eol__2.2.5 电流-电压特性 77__eol__2.3 金属-半导体结 78__eol__2.3.1 肖特基接触 78__eol__2.3.2 欧姆接触 81__eol__2.4 pn结电容 82__eol__2.4.1 pn结电容的来源 82__eol__2.4.2 势垒电容 83__eol__2.4.3 扩散电容 87__eol__2.4.4 pn结电导 88__eol__2.5 MOS电容 93__eol__2.6 思考题和习题2 97__eol__第3章 双极型晶体管 99__eol__3.1 结构与工作原理 99__eol__3.1.1 基本概念 99__eol__3.1.2 静电特性 101__eol__3.1.3 特性参数 102__eol__3.1.4 少子浓度分布与能带图 106__eol__3.2 稳态响应 107__eol__3.2.1 电流响应 107__eol__3.2.2 击穿特性 112__eol__3.3 频率响应 116__eol__3.3.1 基区输运系数与频率的关系 116__eol__3.3.2 高频小信号电流放大系数 124__eol__3.4 开关特性 133__eol__3.4.1 晶体管开关等效电路和工作区域 133__eol__3.4.2 晶体管的开关过程 136__eol__3.5 思考题和习题3 139__eol__第4章 MOS场效应晶体管 141__eol__4.1 结构与工作原理 141__eol__4.1.1 MOSFET的类型 141__eol__4.1.2 MOSFET的输出特性 144__eol__4.2 阈值电压 145__eol__4.2.1 MOS结构阈值电压 145__eol__4.2.2 MOS结构阈值电压VT的影响因素 148__eol__4.3 稳态响应 149__eol__4.3.1 电流-电压关系的概念 149__eol__4.3.2 非饱和区电流响应 152__eol__4.3.3 饱和区电流响应 156__eol__4.3.4 关键参数的热敏响应 159__eol__4.3.5 MOSFET的击穿电压 161__eol__4.3.6 MOSFET的亚阈区导电 163__eol__4.4 频率响应 166__eol__4.4.1 MOSFET的小信号交流参数 166__eol__4.4.2 MOSFET的小信号高频等效电路 169__eol__4.4.3 最高工作频率和最高振荡频率 176__eol__4.5 思考题和习题4 177__eol__第5章 现代半导体器件 179__eol__5.1 Si基场效应晶体管 179__eol__5.1.1 高K栅MOSFET 179__eol__5.1.2 SOI MOSFET 182__eol__5.1.3 FinFET 191__eol__5.1.4 U-MOSFET 201__eol__5.1.5 超结MOSFET 207__eol__5.2 非Si基场效应晶体管 211__eol__5.2.1 SiC MOSFET 216__eol__5.2.2 GaN HEMT 223__eol__5.2.3 Ga2O3器件 229__eol__5.2.4 碳基纳米管器件 231__eol__5.3 思考题和习题5 232__eol__第6章 表征与测量 234__eol__6.1 来料检查 235__eol__6.1.1 表面缺陷检测 235__eol__6.1.2 电阻率 238__eol__6.1.3 几何尺寸 242__eol__6.1.4 其他测试 246__eol__6.2 工艺监控 250__eol__6.2.1 工艺监控基础 250__eol__6.2.2 量测 252__eol__6.2.3 检测 258__eol__6.2.4 复检 260__eol__6.3 晶圆可接受测试 261__eol__6.3.1 可接受测试基础 261__eol__6.3.2 测试参数及方法 263__eol__6.3.3 探针测试 265__eol__6.4 测试 267__eol__6.4.1 测试基础 267__eol__6.4.2 封装工艺的测试 271__eol__6.4.3 测试方法 273__eol__6.4.4 测试参数 277__eol__6.5 可靠性 278__eol__6.5.1 可靠性测试 279__eol__6.5.2 寿命试验 282__eol__6.5.3 环境试验 287__eol__6.5.4 电应力类试验 289__eol__6.6 失效分析 291__eol__6.6.1 失效分析基础 291__eol__6.6.2 非破坏性分析 294__eol__6.6.3 破坏性分析 296__eol__6.7 思考题和习题6 301__eol__参考文献 303