- 电子工业出版社
- 9787121343216
- 1-12
- 281013
- 49255670-9
- 16开
- 2023-10
- 560
- 电子信息与电气
- 本科
作者简介
内容简介
本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容,分成三部分,共计15章。第一部分为半导体材料属性,主要讨论固体晶格结构、量子力学、固体量子理论、平衡半导体、输运现象、半导体中的非平衡过剩载流子;第二部分为半导体器件基础,主要讨论pn结、pn结二极管、金属半导体和半导体异质结、金属氧化物半导体场效应晶体管、双极晶体管、结型场效应晶体管;第三部分为专用半导体器件,主要介绍光器件、半导体微波器件和功率器件等。书中既讲述了半导体基础知识,也分析讨论了小尺寸器件物理问题,具有一定的深度和广度。另外,全书各章难点之后均列有例题、自测题,每章末尾均安排有复习要点、重要术语解释及知识点。全书各章末尾列有习题和参考文献,书后附有部分习题答案。
目录
绪论 半导体和集成电路 __eol__历史 __eol__集成电路(IC) __eol__制造 __eol__参考文献 __eol__第一部分 半导体材料属性__eol__第1章 固体晶格结构 __eol__1.0 概述 __eol__1.1 半导体材料 __eol__1.2 固体类型 __eol__1.3 空间晶格 __eol__1.4 金刚石结构 __eol__1.5 原子价键 __eol__ *1.6 固体中的缺陷和杂质 __eol__ *1.7 半导体材料的生长 __eol__1.8 小结 __eol__重要术语解释 __eol__知识点 __eol__复习题 __eol__习题 __eol__参考文献 __eol__第2章 量子力学初步 __eol__2.0 概述 __eol__2.1 量子力学的基本原理 __eol__2.2 薛定谔波动方程 __eol__2.3 薛定谔波动方程的应用 __eol__2.4 原子波动理论的延伸 __eol__2.5 小结 __eol__重要术语解释 __eol__知识点 __eol__复习题 __eol__习题 __eol__参考文献 __eol__第3章 固体量子理论初步 __eol__3.0 概述 __eol__3.1 允带与禁带 __eol__3.2 固体中电的传导 __eol__3.3 三维扩展 __eol__3.4 状态密度函数 __eol__3.5 统计力学 __eol__3.6 小结 __eol__重要术语解释 __eol__知识点 __eol__复习题 __eol__习题 __eol__参考文献 __eol__第4章 平衡半导体 __eol__4.0 概述 __eol__4.1 半导体中的载流子 __eol__4.2 掺杂原子与能级 __eol__4.3 非本征半导体 __eol__4.4 施主和受主的统计学分布 __eol__4.5 电中性状态 __eol__4.6 费米能级的位置 __eol__4.7 小结 __eol__重要术语解释 __eol__知识点 __eol__复习题 __eol__习题 __eol__参考文献 __eol__第5章 载流子输运现象 __eol__5.0 概述 __eol__5.1 载流子的漂移运动 __eol__5.2 载流子扩散 __eol__5.3 杂质梯度分布 __eol__ *5.4 霍尔效应 __eol__5.5 小结 __eol__重要术语解释 __eol__知识点 __eol__复习题 __eol__习题 __eol__参考文献 __eol____eol__第6章 半导体中的非平衡过剩载流子 __eol__6.0 概述 __eol__6.1 载流子的产生与复合 __eol__6.2 过剩载流子的性质 __eol__6.3 双极输运 __eol__6.4 准费米能级 __eol__ *6.5 过剩载流子的寿命 __eol__ *6.6 表面效应 __eol__6.7 小结 __eol__重要术语解释 __eol__知识点 __eol__复习题 __eol__习题 __eol__参考文献 __eol__第二部分 半导体器件基础__eol__第7章 pn结 __eol__7.0 概述 __eol__7.1 pn结的基本结构 __eol__7.2 零偏 __eol__7.3 反偏 __eol__7.4 结击穿 __eol__ *7.5 非均匀掺杂pn结 __eol__7.6 小结 __eol__重要术语解释 __eol__知识点 __eol__复习题 __eol__习题 __eol__参考文献 __eol__第8章 pn结二极管 __eol__8.0 概述 __eol__8.1 pn结电流 __eol__8.2 产生复合电流和大注入 __eol__8.3 pn结的小信号模型 __eol__ *8.4 电荷存储与二极管瞬态 __eol__ *8.5 隧道二极管 __eol__8.6 小结 __eol__重要术语解释 __eol__知识点 __eol__复习题 __eol__习题 __eol__参考文献 __eol__第9章 金属半导体和半导体异质结 __eol__9.0 概述 __eol__9.1 肖特基势垒二极管 __eol__9.2 金属半导体的欧姆接触 __eol__9.3 异质结 __eol__9.4 小结 __eol__重要术语解释 __eol__知识点 __eol__复习题 __eol__习题 __eol__参考文献 __eol__第10章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础 __eol__10.0 概述 __eol__10.1 双端MOS结构 __eol__10.2 电容电压特性 __eol__10.3 MOSFET基本工作原理 __eol__10.4 频率限制特性 __eol__ *10.5 CMOS技术 __eol__10.6 小结 __eol__重要术语解释 __eol__知识点 __eol__复习题 __eol__习题 __eol__参考文献 __eol__第11章 金属氧化物半导体场效应晶体管: 概念的深入 __eol__11.0 概述 __eol__11.1 非理想效应 __eol__11.2 MOSFET按比例缩小理论 __eol__11.3 阈值电压的修正 __eol__11.4 附加电学特性 __eol__ *11.5 辐射和热电子效应 __eol__11.6 小结 __eol__重要术语解释 __eol__知识点 __eol__复习题 __eol__习题 __eol__参考文献 __eol__第12章 双极晶体管 __eol__12.0 概述 __eol__12.1 双极晶体管的工作原理 __eol__12.2 少子的分布 __eol__12.3 低频共基极电流增益 __eol__12.4 非理想效应 __eol__12.5 等效电路模型 __eol__12.6 频率上限 __eol__12.7 大信号开关 __eol__ *12.8 其他的双极晶体管结构 __eol__12.9 小结 __eol__重要术语解释 __eol__知识点 __eol__复习题 __eol__习题 __eol__参考文献 __eol__第13章 结型场效应晶体管 __eol__13.0 概述 __eol__13.1 JFET概念 __eol__13.2 器件的特性 __eol__ *13.3 非理想因素 __eol__ *13.4 等效电路和频率限制 __eol__ *13.5 高电子迁移率晶体管 __eol__13.6 小结 __eol__重要术语解释 __eol__知识点 __eol__复习题