- 电子工业出版社
- 9787121320071
- 1-15
- 209810
- 48253019-3
- 平塑
- 16开
- 2022-11
- 730
- 400
- 理学
- 物理学
- O47
- 电子信息与电气
- 本科 研究生及以上
目录
目 录__eol____eol__第1章 半导体中的电子状态 __eol__ 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 __eol__ 1.1.1 金刚石型结构和共价键 __eol__ 1.1.2 闪锌矿型结构和混合键 __eol__ 1.1.3 纤锌矿型结构 3 __eol__ 1.2 半导体中的电子状态和能带 4 __eol__ 1.2.1 原子的能级和晶体的能带 4 __eol__ 1.2.2 半导体中电子的状态和能带 __eol__ 1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带 __eol__ 1.3 半导体中电子的运动 有效质量 __eol__ 1.3.1 半导体中 E(k)与k 的关系［3］ __eol__ 1.3.2 半导体中电子的平均速度 __eol__ 1.3.3 半导体中电子的加速度 __eol__ 1.3.4 有效质量的意义 __eol__ 1.4 本征半导体的导电机构空穴 ［3］ __eol__ 1.5 回旋共振［4］ __eol__ 1.5.1 k 空间等能面 __eol__ 1.5.2 回旋共振 __eol__ 1.6 硅和锗的能带结构 __eol__ 1.6.1 硅和锗的导带结构 __eol__ 1.6.2 硅和锗的价带结构 __eol__ 1.7 ⅢⅤ族化合物半导体的能带结构 ［7］ __eol__ 1.7.1 锑化铟的能带结构 __eol__ 1.7.2 砷化镓的能带结构 ［8］ __eol__ 1.7.3 磷化镓和磷化铟的能带结构 __eol__ 1.7.4 混合晶体的能带结构 __eol__ ★1.8 ⅡⅥ族化合物半导体的能带结构 __eol__ ★1.8.1 二元化合物的能带结构 __eol__ ★1.8.2 混合晶体的能带结构 __eol__ ★1.9 Si 1- x Ge x 合金的能带 __eol__ ★1.10 宽禁带半导体材料 __eol__ ★1.10.1 GaN、AlN的晶格结构和能带 ［18］ __eol__ ★1.10.2 SiC的晶格结构与能带 __eol__ 习题 __eol__ 参考资料 __eol__第2章 半导体中杂质和缺陷能级 __eol__ 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 __eol__ 2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质 __eol__ 2.1.2 施主杂质、施主能级 __eol__ 2.1.3 受主杂质、受主能级 39 __eol__ 2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算 ［２，３］ __eol__ 2.1.5 杂质的补偿作用 __eol__ 2.1.6 深能级杂质 __eol__ 2.2 ⅢⅤ族化合物中的杂质能级 __eol__ ★2.3 氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级 0 2.4 缺陷、位错能级 __eol__ 2.4.1 点缺陷 __eol__ 2.4.2 位错 3__eol__ 习题 __eol__ 参考资料 5__eol__第3章 半导体中载流子的统计分布 __eol__ 3.1 状态密度 ［1，2］ __eol__ 3.1.1 k空间中量子态的分布 __eol__ 3.1.2 状态密度 __eol__ 3.2 费米能级和载流子的统计分布 __eol__ 3.2.1 费米分布函数 __eol__ 3.2.2 玻耳兹曼分布函数 __eol__ 3.2.3 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 __eol__ 3.2.4 载流子浓度乘积n ０p ０ __eol__ 3.3 本征半导体的载流子浓度 __eol__ 3.4 杂质半导体的载流子浓度 __eol__ 3.4.1 杂质能级上的电子和空穴 __eol__ 3.4.2 n型半导体的载流子浓度 __eol__ 3.5 一般情况下的载流子统计分布 __eol__ 3.6 简并半导体 ［2，5］ __eol__ 3.6.1 简并半导体的载流子浓度 __eol__ 3.6.2 简并化条件 __eol__ 3.6.3 低温载流子冻析效应 __eol__ 3.6.4 禁带变窄效应 __eol__ 3.7 电子占据杂质能级的概率 __eol__ ［2，6，7］ __eol__ 3.7.1 电子占据杂质能级概率的讨论 __eol__ 3.7.2 求解统计分布函数 __eol__ 习题 __eol__ 参考资料__eol__第4章 半导体的导电性 __eol__ 4.1 载流子的漂移运动和迁移率 __eol__ 4.1.1 欧姆定律__eol__ 4.1.2 漂移速度和迁移率__eol__ 4.1.3 半导体的电导率和迁移率__eol__ 4.2 载流子的散射 __eol__ 4.2.1 载流子散射的概念__eol__ 4.2.2 半导体的主要散射机构 ［1］ __eol__ 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 __eol__ 4.3.1 平均自由时间和散射概率的关系 __eol__ 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 __eol__ 4.3.3 迁移率与杂质和温度的关系 __eol__ 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 __eol__ 4.4.1 电阻率和杂质浓度的关系 __eol__ 4.4.2 电阻率随温度的变化 __eol__ ★4.5 玻耳兹曼方程 ［１１］ 、电导率的统计理论 __eol__ ★4.5.1 玻耳兹曼方程 __eol__ ★4.5.2 弛豫时间近似 __eol__ ★4.5.3 弱电场近似下玻耳兹曼方程的解 __eol__ ★4.5.4 球形等能面半导体的电导率 __eol__ 4.6 强电场下的效应 ［１２］ 、热载流子 __eol__ 4.6.1 欧姆定律的偏离 __eol__ ★4.6.2 平均漂移速度与电场强度的关系 __eol__ ★4.7 多能谷散射、耿氏效应 __eol__ ★4.7.1 多能谷散射、体内负微分电导 __eol__ ★4.7.2 高场畴区及耿氏振荡 __eol__ 习题 __eol__ 参考资料 __eol__第5章 非平衡载流子 __eol__ 5.1 非平衡载流子的注入与复合 __eol__ 5.2 非平衡载流子的寿命 __eol__ 5.3 准费米能级 __eol__ 5.4 复合理论 __eol__ 5.4.1 直接复合 __eol__ 5.4.2 间接复合 __eol__ 5.4.3 表面复合 __eol__ 5.4.4 俄歇复合 __eol__ 5.5 陷阱效应 __eol__ 5.6 载流子的扩散运动 __eol__ 5.7 载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式 __eol__ 5.8 连续性方程式 __eol__ 5.9 硅的少数载流子寿命与扩散长度 __eol__ 参考资料 __eol__第6章 pn结 __eol__ 6.1 pn结及其能带图 __eol__ 6.1.1 pn结的形成和杂质分布 ［１～３］ __eol__ 6.1.2 空间电荷区 __eol__ 6.1.3 pn结能带图 __eol__ 6.1.4 pn结接触电势差 __eol__ 6.1.5 pn结的载流子分布 __eol__ 6.2 pn结电流电压特性 __eol__ 6.2.1 非平衡状态下的pn结 __eol__ 6.2.2 理想pn结模型及其电流电压方程 ［４］ __eol__ 6.2.3 影响pn结电流电压特性偏离理想方程的各种因素 ［1，2，5］ __eol__ 6.3 pn结电容 ［1，2，6］ __eol__ 6.3.1 pn结电容的来源 __eol__ 6.3.2 突变结的势垒电容 __eol__ 6.3.3 线性缓变结的势垒电容 __eol__ 6.3.4 扩散电容 __eol__ 6.4 pn结击穿 ［1，2，8，9］ __eol__ 6.4.1 雪崩击穿 __eol__ 6.4.2 隧道击穿(齐纳击穿) ［１0］ __eol__ 6.4.3 热电击穿 __eol__ 6.5 pn结隧道效应 ［1，10］ __eol__ 习题 __eol__ 参考资料 __eol__第7章 金属和半导体的接触 __eol__ 7.1 金属半导体接触及其能级图 __eol__ 7.1.1 金属和半导体的功函数 __eol__ 7.1.2 接触电势差 __eol__ 7.1.3 表面态对接触势垒的影响 __eol__ 7.2 金属半导体接触整流理论 __eol__ 7.2.1 扩散理论 __eol__ 7.2.2 热电子发射理论 __eol__ 7.2.3 镜像力和隧道效应的影响 __eol__ 7.2.4 肖特基势垒二极管 __eol__ 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触 __eol__ 7.3.1 少数载流子的注入 __e
