目 录__eol__第1章 半导体中的电子运动状态 1__eol__1.1 半导体材料 1__eol__1.1.1 半导体材料的原子构成 1__eol__1.1.2 半导体材料的结构 3__eol__1.1.3 金刚石结构 8__eol__1.1.4 固体的缺陷与杂质 10__eol__1.2 量子力学初步 11__eol__1.2.1 量子力学的基本原理 12__eol__1.2.2 薛定谔方程及其波函数的意义 13__eol__1.2.3 薛定谔方程的应用——自由电子与束缚态电子 15__eol__1.2.4 薛定谔方程的应用——单电子原子中电子的状态 20__eol__1.2.5 薛定谔方程的应用——多电子原子中电子的状态 23__eol__1.3 晶体中电子的运动状态 25__eol__1.3.1 能带的形成 26__eol__1.3.2 一维无限晶体的能带 29__eol__1.3.3 半导体的价键模型和能带模型 33__eol__1.3.4 半导体的有效质量 36__eol__1.3.5 空穴 38__eol__1.3.6 金属、半导体和绝缘体的能带与导电性能差异 41__eol__1.3.7 三维无限晶体的能带 42__eol__习题1 44__eol__第2章 平衡半导体中的载流子浓度 46__eol__2.1 状态密度函数 46__eol__2.2 费米-狄拉克分布函数 49__eol__2.3 平衡载流子浓度 55__eol__2.3.1 平衡半导体中载流子浓度的公式 57__eol__2.3.2 本征半导体中的载流子浓度 60__eol__2.3.3 载流子浓度的乘积 63__eol__2.3.4 本征费米能级位置 63__eol__2.4 只含一种杂质的杂质半导体中的载流子浓度 64__eol__2.4.1 施主杂质和受主杂质 64__eol__2.4.2 施主杂质能级上的电子和受主杂质能级上的空穴 69__eol__2.4.3 电中性条件 70__eol__2.5 补偿半导体的载流子浓度 76__eol__2.6 费米能级的位置 77__eol__2.7 简并半导体 83__eol__2.7.1 简并半导体的载流子浓度 84__eol__2.7.2 禁带变窄效应 85__eol__习题2 86__eol__第3章 载流子的输运 89__eol__3.1 载流子的热运动 89__eol__3.2 载流子的漂移运动 90__eol__3.2.1 漂移电流密度 91__eol__3.2.2 迁移率 93__eol__3.2.3 电导率和电阻率 100__eol__3.3 载流子的扩散运动 104__eol__3.4 爱因斯坦关系 106__eol__3.4.1 电场作用下的能带图 106__eol__3.4.2 爱因斯坦关系的推导 107__eol__3.5 霍尔效应 109__eol__习题3 111__eol__第4章 过剩载流子 113__eol__4.1 载流子的产生和复合 113__eol__4.1.1 决定载流子产生率的因素 114__eol__4.1.2 决定载流子复合率的因素 115__eol__4.1.3 热平衡状态下载流子的产生和复合 115__eol__4.1.4 外力作用下载流子的产生和复合 116__eol__4.2 准费米能级 118__eol__4.3 过剩载流子的性质 120__eol__4.3.1 载流子的连续性方程 120__eol__4.3.2 与时间有关的扩散方程 121__eol__4.4 双极输运及其输运方程 122__eol__4.4.1 双极输运的概念 122__eol__4.4.2 双极输运方程 123__eol__4.4.3 小注入条件下的双极输运方程 124__eol__4.4.4 双极输运方程应用 126__eol__习题4 131__eol__第5章 pn结 133__eol__5.1 pn结的形成及其基本结构 133__eol__5.1.1 合金法及形成的pn结的杂质分布 133__eol__5.1.2 扩散法及形成的pn结的杂质分布 134__eol__5.2 平衡pn结及其能带 135__eol__5.2.1 平衡pn结 136__eol__5.2.2 平衡pn结的能带 137__eol__5.3 平衡pn结的参数 139__eol__5.3.1 内建电势差 139__eol__5.3.2 平衡pn结的内建电场强度及电势分布函数 143__eol__5.3.3 空间电荷区宽度 147__eol__5.3.4 空间电荷区的载流子浓度 150__eol__5.3.5 线性缓变结的静电特性 151__eol__5.4 pn结二极管的电流-电压特性方程 152__eol__5.4.1 静电特性结果在外加电压pn结中的推广 153__eol__5.4.2 pn结电流-电压特性方程的定性推导 156__eol__5.4.3 pn结电流-电压特性方程的定量推导 157__eol__5.4.4 对理想pn结电流-电压关系的修正 169__eol__5.5 pn结的小信号模型 173__eol__5.5.1 pn结反偏时的小信号模型 174__eol__5.5.2 pn结正偏时的小信号模型 177__eol__5.6 pn结二极管的瞬态响应 180__eol__5.6.1 关瞬态 180__eol__5.6.2 开瞬态 182__eol__5.7 隧道二极管 183__eol__5.8 pn结在光电器件中的应用 184__eol__5.8.1 光电检测器 185__eol__5.8.2 太阳能电池 189__eol__5.8.3 发光二极管 191__eol__习题5 194__eol__第6章 器件制备基本工艺 197__eol__6.1 器件制备基本工艺 197__eol__6.1.1 衬底材料的准备 198__eol__6.1.2 氧化 198__eol__6.1.3 薄膜生长 199__eol__6.1.4 薄膜的图形化 201__eol__6.1.5 掺杂 202__eol__6.2 pn结二极管的制备 203__eol__习题6 205__eol__第7章 金属半导体接触和异质结 206__eol__7.1 金属半导体接触 206__eol__7.1.1 金属和半导体的功函数 206__eol__7.1.2 理想的金属半导体接触 207__eol__7.1.3 表面态对金属半导体接触势垒的影响 211__eol__7.1.4 理想金属半导体接触的特性 212__eol__7.1.5 金属半导体接触的电流-电压关系 214__eol__7.1.6 镜像力的影响 216__eol__7.1.7 肖特基势垒二极管和pn结二极管的比较 216__eol__7.1.8 欧姆接触 218__eol__7.2 异质结 218__eol__7.2.1 异质结的分类及其能带图 218__eol__7.2.2 突变反型异质结的静电特性 222__eol__7.3 异质结的电流-电压特性 224__eol__7.3.1 突变反型异质结中的电流输运模型 225__eol__7.3.2 突变同型异质结中的电流输运模型 227__eol__7.3.3 异质结的注入比特性 227__eol__习题7 228__eol__第8章 双极晶体管 230__eol__8.1 双极晶体管的基本情况 230__eol__8.1.1 双极晶体管的结构 230__eol__8.1.2 双极晶体管的特性参数 234__eol__8.2 双极晶体管的电流-电压特性 235__eol__8.2.1 理想晶体管模型及其求解 235__eol__8.2.2 理想晶体管输入/输出特性曲线 240__eol__8.2.3 非理想晶体管 242__eol__8.2.4 非理想晶体管输入/输出特性曲线 245__eol__8.3 晶体管的反向特性 247__eol__8.3.1 晶体管的反向电流 247__eol__8.3.2 晶体管的反向击穿电压 249__eol__8.3.3 晶体管的穿通电压 250__eol__8.4 晶体管模型和晶体管频率特性 250__eol__8.4.1 Ebers-Moll模型 250__eol__8.4.2 晶体管的频率特性 252__eol__习题8 256__eol__附录A 本书常用文字符号说明 257__eol__附录B 常用表格 260__eol__参考文献 261