- 科学出版社
- 9787030751911
- 4-1
- 49263122-1
- 2023-03
- 工学
- 电子信息类
- 电子科学与技术
- 本科
内容简介
本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。全书共13章：第1章为硅和锗的化学制备，第2章为区熔提纯，第3章为晶体生长，第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷，第5章为硅外延生长，第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长，第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体，第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，第10章为低维结构半导体材料，第11章为氧化物半导体材料，第12章为宽禁带半导体材料，第13章为其他半导体材料。
目录
目录
绪论1
第1章硅和锗的化学制备4
1.1硅和锗的物理化学性质4
1.2高纯硅的制备6
1.3锗的富集与提纯13
第2章区熔提纯16
2.1相图16
2.2分凝现象与分凝系数25
2.3区熔原理29
2.4锗的区熔提纯38
第3章晶体生长39
3.1晶体生长理论基础39
3.2熔体的晶体生长55
3.3硅、锗单晶生长61
第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷68
4.1硅、锗晶体中杂质的性质68
4.2硅、锗晶体的掺杂71
4.3硅、锗单晶的位错87
4.4硅单晶中的微缺陷92
第5章硅外延生长96
5.1外延生长概述96
5.2硅衬底制备98
5.3硅的气相外延生长102
5.4硅外延层电阻率的控制113
5.5硅外延层的缺陷118
5.6硅的异质外延122
第6章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体127
6.1Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性127
6.2砷化镓单晶的生长方法133
6.3砷化镓单晶中杂质的控制140
6.4砷化镓单晶的完整性144
6.5其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备146
第7章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长150
7.1气相外延生长（VPE）150
7.2金属有机物气相外延生长（MOVPE）153
7.3液相外延生长（LPE）160
7.4分子束外延生长（MBE）165
7.5化学束外延生长（CBE）169
7.6其他外延生长技术171
第8章Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体176
8.1异质结与晶格失配177
8.2GaAlAs外延生长178
8.3InGaAsP外延生长182
第9章Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体187
9.1Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备187
9.2Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象193
9.3Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料196
第10章低维结构半导体材料201
10.1低维结构半导体材料的基本特性201
10.2半导体超晶格与量子阱202
10.3半导体量子线与量子点211
10.4低维结构半导体材料的现状及未来215
第11章氧化物半导体材料217
11.1氧化物半导体材料的制备217
11.2氧化物半导体材料的电学性质220
11.3氧化物半导体材料的应用223
第12章宽禁带半导体材料228
12.1Ⅲ族氮化物半导体材料228
12.2SiC材料237
第13章其他半导体材料248
13.1窄带隙半导体248
13.2黄铜矿型半导体250
13.3非晶态半导体材料251
13.4有机半导体材料252
13.5钙钛矿半导体材料255
参考文献256
绪论1
第1章硅和锗的化学制备4
1.1硅和锗的物理化学性质4
1.2高纯硅的制备6
1.3锗的富集与提纯13
第2章区熔提纯16
2.1相图16
2.2分凝现象与分凝系数25
2.3区熔原理29
2.4锗的区熔提纯38
第3章晶体生长39
3.1晶体生长理论基础39
3.2熔体的晶体生长55
3.3硅、锗单晶生长61
第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷68
4.1硅、锗晶体中杂质的性质68
4.2硅、锗晶体的掺杂71
4.3硅、锗单晶的位错87
4.4硅单晶中的微缺陷92
第5章硅外延生长96
5.1外延生长概述96
5.2硅衬底制备98
5.3硅的气相外延生长102
5.4硅外延层电阻率的控制113
5.5硅外延层的缺陷118
5.6硅的异质外延122
第6章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体127
6.1Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性127
6.2砷化镓单晶的生长方法133
6.3砷化镓单晶中杂质的控制140
6.4砷化镓单晶的完整性144
6.5其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备146
第7章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长150
7.1气相外延生长（VPE）150
7.2金属有机物气相外延生长（MOVPE）153
7.3液相外延生长（LPE）160
7.4分子束外延生长（MBE）165
7.5化学束外延生长（CBE）169
7.6其他外延生长技术171
第8章Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体176
8.1异质结与晶格失配177
8.2GaAlAs外延生长178
8.3InGaAsP外延生长182
第9章Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体187
9.1Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备187
9.2Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象193
9.3Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料196
第10章低维结构半导体材料201
10.1低维结构半导体材料的基本特性201
10.2半导体超晶格与量子阱202
10.3半导体量子线与量子点211
10.4低维结构半导体材料的现状及未来215
第11章氧化物半导体材料217
11.1氧化物半导体材料的制备217
11.2氧化物半导体材料的电学性质220
11.3氧化物半导体材料的应用223
第12章宽禁带半导体材料228
12.1Ⅲ族氮化物半导体材料228
12.2SiC材料237
第13章其他半导体材料248
13.1窄带隙半导体248
13.2黄铜矿型半导体250
13.3非晶态半导体材料251
13.4有机半导体材料252
13.5钙钛矿半导体材料255
参考文献256
