第1章　半导体中的电子状态1 __eol__　　1.1　半导体的晶格结构和结合性质1 __eol__　　　　1.1.1　金刚石型结构和共价键1 __eol__　　　　1.1.2　闪锌矿型结构和混合键2 __eol__　　　　1.1.3　纤锌矿型结构3 __eol__　　1.2　半导体中的电子状态和能带4 __eol__　　　　1.2.1　原子的能级和晶体的能带4 __eol__　　　　1.2.2　半导体中电子的状态和能带6 __eol__　　　　1.2.3　导体、半导体、绝缘体的能带10 __eol__　　1.3　半导体中电子的运动———有效质量11 __eol__　　　　1.3.1　半导体中E（k）与k的关系［3］ 11 __eol__　　　　1.3.2　半导体中电子的平均速度12 __eol__　　　　1.3.3　半导体中电子的加速度12 __eol__　　　　1.3.4　有效质量的意义13 __eol__　　1.4　本征半导体的导电机构———空穴［3］ 14 __eol__　　1.5　回旋共振［4］ 16 __eol__　　　　1.5.1　k空间等能面16 __eol__　　　　1.5.2　回旋共振描述18 __eol__　　1.6　硅和锗的能带结构19 __eol__　　　　1.6.1　硅和锗的导带结构19 __eol__　　　　1.6.2　硅和锗的价带结构22 __eol__　　1.7　Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构［7］ 24 __eol__　　　　1.7.1　锑化铟的能带结构24 __eol__　　　　1.7.2　砷化镓的能带结构［8］ 25 __eol__　　　　1.7.3　磷化镓和磷化铟的能带结构25 __eol__　　　　1.7.4　混合晶体的能带结构25 __eol__　　★1.8　Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构26 __eol__　　　　★1.8.1　二元化合物的能带结构26 __eol__　　　　★1.8.2　混合晶体的能带结构27 __eol__　　★1.9　Ｓｉ1－xＧｅx合金的能带27 __eol__　　★1.10　宽禁带半导体材料29 __eol__　　　　★1.10.1　ＧａＮ、ＡｌＮ的晶格结构和能带［18］ 30 __eol__　　　　★1.10.2　ＳｉＣ的晶格结构和能带32 __eol__　　习题35 __eol__　　参考资料35 ____________eol__第2章　半导体中杂质和缺陷能级37 __eol__　　2.1　硅、锗晶体中的杂质能级37 __eol__　　　　2.1.1　替位式杂质和间隙式杂质37 __eol__　　　　2.1.2　施主杂质、施主能级38 __eol__　　　　2.1.3　受主杂质、受主能级39 __eol__　　　　2.1.4　浅能级杂质电离能的简单计算［2，3］ 41 __eol__　　　　2.1.5　杂质的补偿作用41 __eol__　　　　2.1.6　深能级杂质42 __eol__　　2.2　Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级45 __eol__　　★2.3　氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级50 __eol__　　2.4　缺陷、位错能级52 __eol__　　　　2.4.1　点缺陷52 __eol__　　　　2.4.2　位错53 __eol__　　习题54 __eol__　　参考资料55 __eol__第3章　半导体中载流子的统计分布56 __eol__　　3.1　状态密度［1，2］ 56 __eol__　　　　3.1.1　k空间中量子态的分布56 __eol__　　　　3.1.2　状态密度57 __eol__　　3.2　费米能级和载流子的统计分布59 __eol__　　　　3.2.1　费米分布函数59 __eol__　　　　3.2.2　玻耳兹曼分布函数60 __eol__　　　　3.2.3　导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度61 __eol__　　　　3.2.4　载流子浓度乘积n0p0 64 __eol__　　3.3　本征半导体的载流子浓度64 __eol__　　3.4　杂质半导体的载流子浓度67 __eol__　　　　3.4.1　杂质能级上的电子和空穴67 __eol__　　　　3.4.2　ｎ型半导体的载流子浓度68 __eol__　　3.5　一般情况下的载流子统计分布76 __eol__　　3.6　简并半导体［2，5］ 81 __eol__　　　　3.6.1　简并半导体的载流子浓度81 __eol__　　　　3.6.2　简并化条件82 __eol__　　　　3.6.3　低温载流子冻析效应83 __eol__　　　　3.6.4　禁带变窄效应85 __eol__　　3.7　电子占据杂质能级的概率［2，6，7］ 86 __eol__　　　　3.7.1　电子占据杂质能级概率的讨论86 __eol__　　　　3.7.2　求解统计分布函数88 __eol__　　习题89 __eol__　　参考资料90 __eol__第4章　半导体的导电性92 __eol__　　4.1　载流子的漂移运动和迁移率92 __eol__　　　　4.1.1　欧姆定律92 __eol__　　　　4.1.2　漂移速度和迁移率93 __eol__　　　　4.1.3　半导体的电导率和迁移率93 __eol__　　4.2　载流子的散射94 __eol__　　　　4.2.1　载流子散射的概念94 __eol__　　　　4.2.2　半导体的主要散射机构［1］ 95 __eol__　　4.3　迁移率与杂质浓度和温度的关系102 __eol__　　　　4.3.1　平均自由时间和散射概率的关系102 __eol__　　　　4.3.2　电导率、迁移率与平均自由时间的关系102 __eol__　　　　4.3.3　迁移率与杂质和温度的关系104 __eol__　　4.4　电阻率及其与杂质浓度和温度的关系108 __eol__　　　　4.4.1　电阻率和杂质浓度的关系108 __eol__　　　　4.4.2　电阻率随温度的变化110 __eol__　　★4.5　玻耳兹曼方程［11］、电导率的统计理论110 __eol__　　　　★4.5.1　玻耳兹曼方程111 __eol__　　　　★4.5.2　弛豫时间近似112 __eol__　　　　★4.5.3　弱电场近似下玻耳兹曼方程的解113 __eol__　　　　★4.5.4　球形等能面半导体的电导率114 __eol__　　4.6　强电场下的效应［12］、热载流子115 __eol__　　　　4.6.1　欧姆定律的偏离115 __eol__　　　　★4.6.2　平均漂移速度与电场强度的关系116 __eol__　　★4.7　多能谷散射、耿氏效应120 __eol__　　　　★4.7.1　多能谷散射、体内负微分电导120 __eol__　　　　★4.7.2　高场畴区及耿氏振荡122 __eol__　　习题123 __eol__　　参考资料125 __eol__第5章　非平衡载流子126 __eol__　　5.1　非平衡载流子的注入与复合126 __eol__　　5.2　非平衡载流子的寿命127 __eol__　　5.3　准费米能级129 __eol__　　5.4　复合理论130 __eol__　　　　5.4.1　直接复合131 __eol__　　　　5.4.2　间接复合132 __eol__　　　　5.4.3　表面复合137 __eol__　　　　5.4.4　俄歇复合139 __eol__　　5.5　陷阱效应141 __eol__　　5.6　载流子的扩散运动143 __eol__　　5.7　载流子的漂移扩散、爱因斯坦关系式147 __eol__　　5.8　连续性方程149 __eol__　　5.9　硅的少数载流子寿命与扩散长度153 __eol__　　习题154 __eol__　　参考资料155 __eol__第6章　pn结156 __eol__　　6.1　pn结及其能带图156 __eol__　　　　6.1.1　pn结的形成和杂质分布［13］ 156 __eol__　　　　6.1.2　空间电荷区157 __eol__　　　　6.1.3　pn结能带图158 __eol__　　　　6.1.4　pn结接触电势差159 __eol__　　　　6.1.5　pn结的载流子分布160 __eol__　　6.2　pn结电流—电压特性161 __eol__　　　　6.2.1　非平衡状态下的pn结161 __eol__　　　　6.2.2　理想pn结模型及其电流—电压方程［4］ 164 __eol__　　　　6.2.3　影响pn结电流—电压特性偏离理想方程的各种因素［1，2，5］ 167 __eol__　　6.3　pn结电容［1，2，6］ 171 __eol__　　　　6.3.1　pn结电容的来源171 __eol__　　　　6.3.2　突变结的势垒电容173 __eol__　　　　6.3.3　线性缓变结的势垒电容177 __eol__　　　　6.3.4　扩散电容180 __eol__　　6.4　pn结击穿［1，2，8，9］ 181 __eol__　　　　6.4.1　雪崩击穿181 __eol__　　　　6.4.2　隧道击穿（齐纳击穿）［10］ 181 __eol__　　　　6.4.3　热电击穿183 __eol__　　6.5　pn结隧道效应［1，10］ 183 __eol__　　习题186 __eol__　　参考资料186 __eol__第7章　金属和半导体的接触187 __eol__　　7.