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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件

定价：￥149.00

作者：郝跃，张金风，张进成

出版时间：2021-07

出版社：科学出版社

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基本信息评价

出版社：科学出版社
ISBN：9787030367174
版次：31
开本：B5
出版时间：2021-07

内容简介

本书以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了III族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al-GaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。