第1章半导体物理基础及基本方程__eol__11半导体晶格__eol__111基本的晶体结构__eol__112晶向和晶面__eol__113原子价键 __eol__12半导体中的电子状态__eol__121原子的能级和晶体的能带__eol__122半导体中电子的状态和能带__eol__123半导体中电子的运动和有效质量__eol__124导体、半导体和绝缘体__eol__13平衡状态下载流子浓度__eol__131费米能级和载流子的统计分布__eol__132本征载流子浓度__eol__133杂质半导体的载流子浓度__eol__134简并半导体的载流子浓度__eol__14非平衡载流子__eol__141非平衡载流子的注入与复合过程__eol__142非平衡载流子的寿命__eol__143复合理论__eol__15载流子的输运现象__eol__151载流子的漂移运动及迁移率__eol__152载流子的扩散运动__eol__153爱因斯坦关系__eol__16半导体器件基本方程__eol__161泊松方程__eol__162输运方程__eol__163连续性方程__eol__164方程的积分形式__eol__165基本方程的简化与应用举例__eol__本章参考文献__eol__第2章PN结__eol__21PN结的平衡状态__eol__211空间电荷区的形成__eol__212内建电场、内建电势与耗尽区宽度__eol__213能带图__eol__214线性缓变结__eol__215耗尽近似和中性近似的适用性__eol__22PN结的直流电流电压方程__eol__221外加电压时载流子的运动情况__eol__222势垒区两旁载流子浓度的玻耳兹曼分布__eol__223扩散电流__eol__224势垒区产生复合电流__eol__225正向导通电压__eol__226薄基区二极管__eol__23准费米能级与大注入效应__eol__231自由能与费米能级__eol__232准费米能级__eol__233大注入效应__eol__24PN结的击穿__eol__241碰撞电离率和雪崩倍增因子__eol__242雪崩击穿__eol__243齐纳击穿__eol__244热击穿__eol__25PN结的势垒电容__eol__251势垒电容的定义__eol__252突变结的势垒电容__eol__253线性缓变结的势垒电容__eol__254实际扩散结的势垒电容__eol__26PN结的交流小信号特性与扩散电容__eol__261交流小信号下的扩散电流__eol__262交流导纳与扩散电容__eol__263二极管的交流小信号等效电路__eol__27PN结的开关特性__eol__271PN结的直流开关特性__eol__272PN结的瞬态开关特性__eol__273反向恢复过程__eol__274存储时间与下降时间__eol__28SPICE中的二极管模型__eol__习题二__eol__本章参考文献__eol__第3章双极结型晶体管__eol__31双极结型晶体管基础__eol__311双极结型晶体管的结构__eol__312偏压与工作状态__eol__313少子浓度分布与能带图__eol__314晶体管的放大作用__eol__32均匀基区晶体管的电流放大系数__eol__321基区输运系数__eol__322基区渡越时间__eol__323发射结注入效率__eol__324电流放大系数__eol__33缓变基区晶体管的电流放大系数__eol__331基区内建电场的形成__eol__332基区少子电流密度与基区少子浓度分布__eol__333基区渡越时间与输运系数__eol__334注入效率与电流放大系数__eol__335小电流时放大系数的下降__eol__336发射区重掺杂的影响__eol__337异质结双极型晶体管__eol__34双极结型晶体管的直流电流电压方程__eol__341集电结短路时的电流__eol__342发射结短路时的电流__eol__343晶体管的直流电流电压方程__eol__344晶体管的输出特性__eol__345基区宽度调变效应__eol__35双极结型晶体管的反向特性__eol__351反向截止电流__eol__352共基极接法中的雪崩击穿电压__eol__353共发射极接法中的雪崩击穿电压__eol__354发射极与基极间接有外电路时的反向电流与击穿电压__eol__355发射结击穿电压__eol__356基区穿通效应__eol__36基极电阻__eol__361方块电阻__eol__362基极接触电阻和接触孔边缘到工作基区边缘的电阻__eol__363工作基区的电阻和基极接触区下的电阻__eol__37双极结型晶体管的功率特性__eol__371大注入效应__eol__372基区扩展效应__eol__373发射结电流集边效应__eol__374晶体管的热学性质__eol__375二次击穿和安全工作区__eol__38电流放大系数与频率的关系__eol__381高频小信号电流在晶体管中的变化__eol__382基区输运系数与频率的关系__eol__383高频小信号电流放大系数__eol__384晶体管的特征频率__eol__385影响高频电流放大系数与特征频率的其他因素__eol__39高频小信号电流电压方程与等效电路__eol__391小信号的电荷控制模型__eol__392小信号的电荷电压关系__eol__393高频小信号电流电压方程__eol__394小信号等效电路__eol__310功率增益和最高振荡频率__eol__3101高频功率增益与高频优值__eol__3102最高振荡频率__eol__3103高频晶体管的结构__eol__311双极结型晶体管的开关特性__eol__3111晶体管的静态大信号特性__eol__3112晶体管的直流开关特性__eol__3113晶体管的瞬态开关特性__eol__312SPICE中的双极晶体管模型__eol__3121埃伯斯-莫尔(EM)模型__eol__3122葛谋-潘(GP)模型__eol__习题三__eol__本章参考文献__eol__第4章绝缘栅型场效应晶体管__eol__41MOSFET基础__eol__42MOSFET的阈电压__eol__421MOS结构的阈电压__eol__422MOSFET的阈电压__eol__43MOSFET的直流电流电压方程__eol__431非饱和区直流电流电压方程__eol__432饱和区的特性__eol__44MOSFET的亚阈区导电__eol__45MOSFET的直流参数与温度特性__eol__451MOSFET的直流参数__eol__452MOSFET的温度特性__eol__453MOSFET的击穿电压__eol__46MOSFET的小信号参数、高频等效电路及频率特性__eol__461MOSFET的小信号交流参数__eol__462MOSFET的小信号高频等效电路__eol__463最高工作频率和最高振荡频率__eol__464沟道渡越时间__eol__47短沟道效应__eol__471小尺寸效应__eol__472迁移率调制效应__eol__473漏诱生势垒降低效应__eol__474强电场效应__eol__475表面势和阈值电压准二维分析__eol__48体硅MOSFET的发展方向__eol__481按比例缩小的MOSFET__eol__482双扩散MOSFET__eol__483深亚微米MOSFET__eol__484应变硅MOSFET__eol__485高K栅介质及金属栅电极MOSFET__eol__49功率垂直型双扩散场效应晶体管__eol__491VDMOS器件__eol__492超结VDMOS器件__eol__493常规VDMOS与超结VDMOS器件的电流电压关系的比较__eol__410SOI MOSFET__eol__4101SOI MOSFET结构特点__eol__4102SOI MOSFET一维阈值电压模型 __eol__4103SOI MOSFET的电流特性__eol__4104SOI MOSFET的亚阈值斜率__eol__4105短沟道SOI MOSFET的准二维分析__eol__411多栅结构MOSFET与FINFET__eol__4111多栅MOSFET结构__eol__4112多栅结构MOSFET的特征长度__eol__4113双栅FINFET的亚阈值斜率__eol__4114双栅FINFET的按比例缩小__eol__4115多栅FINFET的结构设计__eol__412无结晶体管__eol__4121无结晶体管的工作原理__eol__4122无结晶体管的阈值电压__eol__4123无