1 绪论
  1.1 多芯片组件
  1.2 低温共烧技术
    1.2.1 LTCC的发展现状
    1.2.2 LTCC的材料体系
  1.3 硅灰石基LTCC基板材料
    1.3.1 硅灰石概述
    1.3.2 硅灰石基LTCC材料的实验研究状况
    1.3.3 硅灰石基LTCC基板材料的理论研究状况
2 硅灰石基LTCC样本制备
  2.1 引言
    2.1.1 硅灰石晶体及玻璃陶瓷
    2.1.2 硅灰石基LTCC常见制备方法
  2.2 硅灰石基LTCC材料的制备
    2.2.1 B系样本的配方设计
    2.2.2 性能测试
    2.2.3 结果与讨论
  2.3 Zr掺杂的硅灰石基LTCC(Z系)的制备和性能分析
    2.3.1 Zr掺杂的硅灰石基LTCC的制备
    2.3.2 结果与讨论
  2.4 Ti掺杂的硅灰石基LTCC(T系)的制备和性能研究
    2.4.1 T系样本的制备
    2.4.2 结果与讨论
3 硅灰石基LTCC材料的定量分析
  3.1 引言
  3.2 XRD测试过程
  3.3 Rietveld全谱拟合结合体积加和法则进行定量分析
    3.3.1 Rietveld全谱拟合分析方法与原理
    3.3.2 结果与讨论
  3.4 Rietveld全谱拟合法结合分峰法定量分析
    3.4.1 分峰法计算原理
    3.4.2 结晶峰与非结晶峰的分离
4 硅灰石晶体电子结构及介电性能第一性原理计算
  4.1 引言
  4.2 计算模型和方法
    4.2.1 计算模型
    4.2.2 计算方法
  4.3 计算结果与讨论
    4.3.1 晶体结构
    4.3.2 电子结构
    4.3.3 Mulliken电荷分布
    4.3.4 光学吸收
    4.3.5 复介电函数
    4.3.6 折射率
  4.4 小结
5 硅灰石介电机理
  5.1 引言
  5.2 硅灰石极化机制
    5.2.1 电子位移极化率
    5.2.2 离子位移极化率
    5.2.3 热离子极化率
  5.3 硅灰石静态介电常数的计算
    5.3.1 硅灰石光频介电常数的计算及修正
    5.3.2 静态介电常数的计算及修正
    5.3.3 静态介电常数温度系数
  5.4 交流介电常数
    5.4.1 热离子活化能U和松弛时间γ
    5.4.2 复介电常数的实部ε’和虚部ε”
  5.5 硅灰石介电损耗
6 硼酸钙、石英晶体和残余玻璃的介电性能
  6.1 硼酸钙晶体介电性能
    6.1.1 硼酸钙晶体静态介电常数
    6.1.2 硼酸钙晶体复介电常数
    6.1.3 硼酸钙晶体的介电损耗
  6.2 石英晶体介电性能
    6.2.1 石英晶体介电常数
    6.2.2 石英晶体损耗
  6.3 无定形玻璃相的介电常数ε和介电损耗tanδ
7 硅灰石基LTCC材料的介电性能
  7.1 复合材料的介电性能计算理论
  7.2 硅灰石基LTCC材料的介电常数
参考文献
索引