集成电路制造工艺技术体系（精） / 半导体科学与技术丛书
￥98.00定价
作者： 严利人，周卫 总主编：夏建白
出版时间：2017-01
出版社：科学出版社
- 科学出版社
- 9787030501578
- 116003
- 2017-01
- TN405
内容简介
严利人、周卫所著的《集成电路制造工艺技术体系（精）》从三个方面系统地论述集成电路的制造技术。首先是制造对象，对工艺结构及结构所对应的电子器件特性进行深入的分析与揭示。其次是生产制造本身，详细讨论集成电路各单步作用的本质性特征及各不同工艺技术在成套流程中的作用，讨论高端制造的组织、调度和管理，工艺流程的监控，工艺效果分析与诊断等内容。最后是支撑半导体制造的设备设施，该部分的论述比较简明，但是也从整体和系统的角度突出了制造设备的若干要素。
本书适合于生产线上的高级工艺技师或管理专家，有助于其从系统和宏观的角度把握动态和复杂的制造过程。尽管涉及微电子制造的高端技术环节，但是本书的具体叙述并不艰深，多结合实例来进行，实用性较强。
本书适合于生产线上的高级工艺技师或管理专家，有助于其从系统和宏观的角度把握动态和复杂的制造过程。尽管涉及微电子制造的高端技术环节，但是本书的具体叙述并不艰深，多结合实例来进行，实用性较强。
目录
第1章 IC制造的技术特点与发展趋势
1.1 IC产业的发展历史与趋势
1.2 IC制造技术的特点
1.2.1 以复杂的物理-化学过程为主，技术门槛高
1.2.2 生产效率高
1.2.3 能够实现异常复杂的电路功能
1.2.4 应用极为广泛
1.2.5 微电子加工技术可延伸应用于相近的其他产业制造
1.3 本书的线索和章节内容安排
第2章 半导体器件与工艺结构
2.1 总论
2.1.1 器件：基于能级
2.1.2 器件：基于能带
2.2 集成电路中的常规器件
2. 结
2.2.2 双极晶体管
2.2.3 MOS晶体管
2.3 工艺结构
2.3.1 双极工艺
2.3.2 NMOS
2.3.3 CMOS
2.3.4 BiCMOS
2.4 其他器件及工艺结构
2.4.1 微机电系统器件
2.4.2 太阳能电池
2.5 新材料与新器件
2.5.1 FinFET
2.5.2 无结器件
2.5.3 纳米器件
2.5.4 SiGe材料及SiGe HBT
2.5.5 SiC与GaN
2.6 微电子器件的表示
2.6.1 结构单元
2.6.2 单元链、截面和微结构体
2.6.3 器件结构分析
2.7 总结
第3章 IC制造单项工艺技术
3.1 半导体材料的加工处理
3.1.1 外延
3.1.2 掺杂扩散
3.1.3 离子注入
3.2 介质/绝缘材料的加工处理
3.2.1 氧化
3.2.2 LPCVD
3.2.3 PECVD
3.3 互连工艺
3.3.1 A1金属化
3.3.2 Cu金属化
3.3.3 多晶硅
3.3.4 接触
3.4 位置与几何形状定义
3.4.1 光刻
3.4.2 刻蚀
3.4.3 剥离
3.5 辅助性工艺技术
3.5.1 化学清洗
3.5.2 热处理
3.5.3 平坦化与CMP
3.5.4 工艺质量监控
3.6 新工艺技术举例
3.6.1 ALD原子层淀积技术
3.6.2 激光加工技术
3.7 工艺库
3.8 总结
第4章 IC制造工艺原理
4.1 工艺模块与流程
4.1.1 LOCOS工艺模块
4.1.2 用于铜互连的大马士革工艺
4.1.3 CV测试短流程
4.1.4 CMOS工艺
4.1.5 BiCMOS工艺
4.2 工艺结构加工制造排序
4.2.1 单元加工的排序及规则
4.2.2 CMOS结构工艺顺序
4.2.3 工艺流程的全展开
4.2.4 工艺流程优化
4.3 工艺过程仿真
4.3.1 仿真软件简介
4.3.2 流程仿真实例
4.4 正交实验设计
4.5 总结
第5章 IC制造工艺设备
5.1 IC制造设备总论
5.2 IC制造设备
5.2.1 热处理
5.2.2 LPCVD
5.2.3 离子注入机
5.2.4 等离子体加工设备
5.2.5 光刻及辅助工艺装备
5.2.6 电学测试
5.3 总结
第6章 IC制造的实施与优化
6.1 IC制造的生产规划和作业调度
6.1.1 IC设备的产能匹配
6.1.2 IC制造单流程作业调度
6.1.3 IC制造多流程作业调度
6.1.4 生产过程的状态跟踪
6.2 成品率控制技术
6.2.1 统计控制
6.2.2 动态工艺条件技术
6.2.3 工艺诊断分析
6.3 总结
参考文献
附录 多晶发射极NPN晶体管工艺仿真代码
1.1 IC产业的发展历史与趋势
1.2 IC制造技术的特点
1.2.1 以复杂的物理-化学过程为主，技术门槛高
1.2.2 生产效率高
1.2.3 能够实现异常复杂的电路功能
1.2.4 应用极为广泛
1.2.5 微电子加工技术可延伸应用于相近的其他产业制造
1.3 本书的线索和章节内容安排
第2章 半导体器件与工艺结构
2.1 总论
2.1.1 器件：基于能级
2.1.2 器件：基于能带
2.2 集成电路中的常规器件
2. 结
2.2.2 双极晶体管
2.2.3 MOS晶体管
2.3 工艺结构
2.3.1 双极工艺
2.3.2 NMOS
2.3.3 CMOS
2.3.4 BiCMOS
2.4 其他器件及工艺结构
2.4.1 微机电系统器件
2.4.2 太阳能电池
2.5 新材料与新器件
2.5.1 FinFET
2.5.2 无结器件
2.5.3 纳米器件
2.5.4 SiGe材料及SiGe HBT
2.5.5 SiC与GaN
2.6 微电子器件的表示
2.6.1 结构单元
2.6.2 单元链、截面和微结构体
2.6.3 器件结构分析
2.7 总结
第3章 IC制造单项工艺技术
3.1 半导体材料的加工处理
3.1.1 外延
3.1.2 掺杂扩散
3.1.3 离子注入
3.2 介质/绝缘材料的加工处理
3.2.1 氧化
3.2.2 LPCVD
3.2.3 PECVD
3.3 互连工艺
3.3.1 A1金属化
3.3.2 Cu金属化
3.3.3 多晶硅
3.3.4 接触
3.4 位置与几何形状定义
3.4.1 光刻
3.4.2 刻蚀
3.4.3 剥离
3.5 辅助性工艺技术
3.5.1 化学清洗
3.5.2 热处理
3.5.3 平坦化与CMP
3.5.4 工艺质量监控
3.6 新工艺技术举例
3.6.1 ALD原子层淀积技术
3.6.2 激光加工技术
3.7 工艺库
3.8 总结
第4章 IC制造工艺原理
4.1 工艺模块与流程
4.1.1 LOCOS工艺模块
4.1.2 用于铜互连的大马士革工艺
4.1.3 CV测试短流程
4.1.4 CMOS工艺
4.1.5 BiCMOS工艺
4.2 工艺结构加工制造排序
4.2.1 单元加工的排序及规则
4.2.2 CMOS结构工艺顺序
4.2.3 工艺流程的全展开
4.2.4 工艺流程优化
4.3 工艺过程仿真
4.3.1 仿真软件简介
4.3.2 流程仿真实例
4.4 正交实验设计
4.5 总结
第5章 IC制造工艺设备
5.1 IC制造设备总论
5.2 IC制造设备
5.2.1 热处理
5.2.2 LPCVD
5.2.3 离子注入机
5.2.4 等离子体加工设备
5.2.5 光刻及辅助工艺装备
5.2.6 电学测试
5.3 总结
第6章 IC制造的实施与优化
6.1 IC制造的生产规划和作业调度
6.1.1 IC设备的产能匹配
6.1.2 IC制造单流程作业调度
6.1.3 IC制造多流程作业调度
6.1.4 生产过程的状态跟踪
6.2 成品率控制技术
6.2.1 统计控制
6.2.2 动态工艺条件技术
6.2.3 工艺诊断分析
6.3 总结
参考文献
附录 多晶发射极NPN晶体管工艺仿真代码
