第1章概论1
11能源和经济1
123E问题3
13温室效应4
131地球温度估算4
132温室效应本质4
14太阳5
15太阳辐射6
16大气质量9
17太阳能的利用10
18太阳能的优缺点11
19太阳能电池的发展史12
110中国太阳能电池的历史及产业现状与未来13
第2章半导体物理基础16
21半导体16
211半导体分类和特征16
212电阻率、电导率17
213电子、空穴17
22载流子18
221载流子迁移率18
222载流子浓度19
223载流子产生、复合19
23纯度21
24本征半导体21
25杂质半导体22
251半导体中杂质填充22
252深/浅能级杂质23
253N型半导体23
254P型半导体25
26PN结26
261PN结形成26
262PN结电势差和电场27
263PN结单向导电性30
264PN结击穿30
27晶体32
271晶体特征32
272晶体结构33
273晶向与晶面34
274晶向与晶面的关系37
275结晶过程39
276晶核形成41
28能级、能带42
29费米能级43
210半导体导电能力44
211晶体缺陷46
第3章太阳能电池基本原理51
31太阳能电池51
311光电效应与太阳能电池51
312光伏效应实质52
313丹伯效应52
32太阳能电池发电原理53
321太阳能电池基本结构53
322太阳能电池三区域53
33太阳能电池表征参数54
34太阳能电池电路模型56
35半导体光吸收57
36太阳能电池转换效率影响因素60
361光损失60
362载流子复合损失61
363串并联电阻损失61
37太阳能电池转化效率η极限62
371短路电流ISC极限62
372开路电压VOC极限62
373填充因子FF极限63
374转化效率η极限63
38温度对太阳能电池的影响64
39太阳能电池组件的“热斑效应”65
310量子效率68
311太阳能电池的光谱响应69
第4章多晶硅制造工艺71
41太阳能电池材料选择71
42硅材料特征71
43硅的用途73
44西门子法制造多晶硅73
441冶金级硅（MGSi）制造74
442三氯硅烷制造80
443SiHCl3氢气还原制造SGSi84
45改良西门子法制造多晶硅87
451改良西门子法优缺点87
452尾气回收原理88
453SiCl4氢化88
454SiHCl3还原反应设备的改进89
46硅烷热分解法制造多晶硅90
461硅烷物理、化学性质90
462硅烷热分解法优缺点91
463氯硅烷歧化法92
464硅合金分解法93
465四氟化硅还原法94
466硅烷热分解94
47多晶硅其他制造方法95
第5章晶体硅片制造工艺97
51直拉法制造单晶硅棒97
511直拉单晶炉结构97
512热场100
513熔体对流对固液界面形状的影响103
514重要的原辅料104
515直拉单晶硅制造流程107
516单晶硅良率控制113
517单晶硅品质控制113
518单晶硅杂质分布114
52磁控直拉法115
521磁控直拉法原理115
522磁控直拉法磁场问题116
53悬浮区熔法制造单晶硅棒117
531悬浮区熔原理及设备117
532悬浮区熔单晶生长117
533熔硅稳定问题118
534中子嬗变掺杂119
535直拉法与悬浮区熔法比较119
54多晶硅锭制造工艺120
541定向凝固传热分析121
542布里曼法121
543浇铸法122
544热交换法122
545电磁铸造法123
546多晶硅品质影响因素123
55硅带制造工艺124
551定边喂膜法125
552横向拉膜法125
553硅带其他制造方法126
56硅片切割工艺127
561修边/切方127
562切片127
563硅片表面质量检测130
第6章晶体硅太阳能电池片制造工艺132
61晶体硅太阳能电池132
62基板材料133
63表面制绒134
631硅片清洗134
632制绒意义和原理134
633单晶硅制绒135
634单晶硅制绒设备和流程139
635多晶硅制绒140
636多晶硅制绒设备和流程141
637绒面检测144
64扩散制PN结145
641扩散原理145
642扩散方程147
643扩散分类147
644扩散系数150
645太阳能电池磷扩散制结原理151
646磷扩散工艺152
647硅片检验155
648等离子体刻蚀157
649去除磷硅玻璃158
65减反射膜αSiNx∶H制备159
651减反射膜原理159
652减反射膜材料的选择160
653αSiNx∶H减反射膜性质161
654αSiNx∶H制备方法——PECVD163
655αSiNx∶H 检验167
66SiNx表面钝化作用167
661钝化原理167
662氢钝化作用169
663SiNx厚度与少子寿命关系169
67丝网印刷及烧结工艺170
671丝网印刷原理170
672印刷设备及参数170
673丝网印刷步骤174
674丝网印刷检验175
675烧结176
676烧结检验177
第7章硅太阳能光伏发电系统178
71光伏发电系统组成要素178
72太阳能电池组件181
721封装材料182
722组件制造过程184
73光伏阵列189
731光伏阵列输出特性189
732光伏阵列尺寸189
733最大功率点跟踪控制190
74并网系统192
741并网发电分类193
742并网发电优缺点194
743并网系统的孤岛问题194
744太阳能光伏建筑一体化195
75独立系统196
76混合系统197
77太阳能光伏发电系统设计198
771独立系统容量设计199
772混合系统设计202
773并网系统设计203
774光伏组件倾角的确定203
775太阳能电池方阵间距的计算205
附录1硅的部分特征@300K206
附录2常用物理常数206
附录3主要物理量206
附录4名词术语中英文对照207
参照文献211