CMOS数字集成电路设计 / 国外电子与电气工程技术丛书
￥69.00定价
作者： [美]查尔斯·霍金斯等著
译者：王昱阳、尹说 译；
出版时间：2016-04
出版社：机械工业出版社
- 机械工业出版社
- 9787111529330
- 1版
- 90236
- 44176827-2
- 压膜
- 16开
- 2016-04
- 251
- 259
- 工学
- 电子科学与技术
- TN432.02
- 电子
- 本科 研究生（硕士、EMBA、MBA、MPA、博士）
内容简介
查尔斯·霍金斯、佐米·塞古拉、雷曼·扎克斯哈著王昱阳、尹说编译的《CMOS数字集成电路设计/国外电子与电气工程技术丛书》涵盖了CMOS数字集成电路的设计技术，教材的编写采用新颖的讲述方法。并不要求学生已经学习过模拟电子学的知识，有利于教师灵活地安排教学计划。本书完全放弃了涉及双极型器件的内容，只关注数字集成电路的主流工艺——CMOS数字电路设计。书中引入大量的实例，每章最后也给出了丰富的习题，使得学生能够将学到的知识与实际结合。本书可作为CMOS数字集成电路的本科教材。
目录
出版者的话
译者序
序
前言
第1章 基本逻辑门和电路原理
1.1 逻辑门和布尔代数
1.2 布尔和逻辑门化简
1.3 时序电路
1.4 电压和电流定律
1.4.1 端口电阻的观察法分析
1.4.2 基尔霍夫电压定律与观察法分析
1.4.3 基尔霍夫电流定律与观察法分析
1.4.4 基于观察法的分压器和分流器混合分析
1.5 电阻的功率消耗
1.6 电容
1.6.1 电容器能量与功率
1.6.2 电容分压器
1.7 电感
1.8 二极管非线性电路分析
1.9 关于功率
1.10 小结
习题
第2章 半导体物理
2.1 材料基础
2.1.1 金属、绝缘体和半导体
2.1.2 半导体中的载流子：电子与空穴
2.1.3 确定载流子浓度
2.2 本征半导体和非本征半导体
2.2.1 n型半导体
2.2.2 p型半导体
2.2.3 n型与p型掺杂半导体中的载流子浓度
2.3 半导体中的载流子输运
2.3.1 漂移电流
2.3.2 扩散电流
2.4 pn结
2.5 pn结的偏置
2.5.1 pn结正偏压
2.5.2 pn结反偏压
2.6 二极管结电容
2.7 小结
参考文献
习题
第3章 MOSFET
3.1 工作原理
3.1.1 作为数字开关的MOSFET
3.1.2 MOSFET的物理结构
3.1.3 MOS晶体管工作原理：一种描述性方法
3.2 MOSFET输入特性
3.3 nMOS晶体管的输出特性与电路分析
3.4 pMOS晶体管的输出特性与电路分析
3.5 含有源极和漏极电阻的
3.6 MOS晶体管的阈值电压
3.7 小结
参考文献
习题
第4章 金属互连线性质
4.1 金属互连线电阻
4.1.1 电阻和热效应
4.1.2 薄膜电阻
4.1.3 通孔电阻
4.2 电容
4.2.1 平行板模型
4.2.2 电容功率
4.3 电感
4.3.1 电感电压
4.3.2 导线电感
4.3.3 电感功率
4.4 互连线RC模型
4.4.1 短线的电容模型
4.4.2 长线的电阻电容模型
4.5 小结
参考文献
习题
第5章 CMOS反相器
第6章 CMOS“与非”门、“或非”门和传输门
第7章 CMOS电路设计风格
第8章 时序逻辑门设计与时序
第9章 IC存储器电路
第10章 PLA、CPLD与FPGA
第11章 CMOS电路版图
第12章 芯片是如何制作的
章末偶数编号习题参考答案
索引
译者序
序
前言
第1章 基本逻辑门和电路原理
1.1 逻辑门和布尔代数
1.2 布尔和逻辑门化简
1.3 时序电路
1.4 电压和电流定律
1.4.1 端口电阻的观察法分析
1.4.2 基尔霍夫电压定律与观察法分析
1.4.3 基尔霍夫电流定律与观察法分析
1.4.4 基于观察法的分压器和分流器混合分析
1.5 电阻的功率消耗
1.6 电容
1.6.1 电容器能量与功率
1.6.2 电容分压器
1.7 电感
1.8 二极管非线性电路分析
1.9 关于功率
1.10 小结
习题
第2章 半导体物理
2.1 材料基础
2.1.1 金属、绝缘体和半导体
2.1.2 半导体中的载流子：电子与空穴
2.1.3 确定载流子浓度
2.2 本征半导体和非本征半导体
2.2.1 n型半导体
2.2.2 p型半导体
2.2.3 n型与p型掺杂半导体中的载流子浓度
2.3 半导体中的载流子输运
2.3.1 漂移电流
2.3.2 扩散电流
2.4 pn结
2.5 pn结的偏置
2.5.1 pn结正偏压
2.5.2 pn结反偏压
2.6 二极管结电容
2.7 小结
参考文献
习题
第3章 MOSFET
3.1 工作原理
3.1.1 作为数字开关的MOSFET
3.1.2 MOSFET的物理结构
3.1.3 MOS晶体管工作原理：一种描述性方法
3.2 MOSFET输入特性
3.3 nMOS晶体管的输出特性与电路分析
3.4 pMOS晶体管的输出特性与电路分析
3.5 含有源极和漏极电阻的
3.6 MOS晶体管的阈值电压
3.7 小结
参考文献
习题
第4章 金属互连线性质
4.1 金属互连线电阻
4.1.1 电阻和热效应
4.1.2 薄膜电阻
4.1.3 通孔电阻
4.2 电容
4.2.1 平行板模型
4.2.2 电容功率
4.3 电感
4.3.1 电感电压
4.3.2 导线电感
4.3.3 电感功率
4.4 互连线RC模型
4.4.1 短线的电容模型
4.4.2 长线的电阻电容模型
4.5 小结
参考文献
习题
第5章 CMOS反相器
第6章 CMOS“与非”门、“或非”门和传输门
第7章 CMOS电路设计风格
第8章 时序逻辑门设计与时序
第9章 IC存储器电路
第10章 PLA、CPLD与FPGA
第11章 CMOS电路版图
第12章 芯片是如何制作的
章末偶数编号习题参考答案
索引
