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出版时间:2014-04

出版社:哈尔滨工业大学出版社

以下为《半导体物理性能手册 第3卷 下》的配套数字资源,这些资源在您购买图书后将免费附送给您:
  • 哈尔滨工业大学出版社
  • 9787560345192
  • 85184
  • 2014-04
  • TN304-62
内容简介
  足立贞夫所著的《半导体物理性能手册》介绍了各族半导体、化合物半导体的物理性能,包括:
  Structural Properties结构特性
  Thermal Properties热学性质
  Elastic Properties弹性性质
  Phonons and Lattice Vibronic Properties声子与晶格振动性质
  Collective Effects and Related Properties集体效应及相关性质
  Energy-Band Structure:Energy-Band Gaps能带结构:能带隙
  Energy-Band Structure:Electron and Hole Effective Masses能带结构:电子和空穴的有效质量
  Electronic Deformation Potential电子形变势
  ElectronAffinity and Schottky Barrier Height电子亲和能与肖特基势垒高度
  Optical Properties光学性质
  Elastooptic,Electrooptic,andNonlinear Optical Properties弹光、电光和非线性光学性质
  Cartier Transport Properties载流子输运性质
  适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生,以及从事半导体研究的专业人员。
  本册为第3卷下。
目录
Preface
Acknowledgements
Contents of Other Volumes
10 Cubic Cadmium Sulphide (c-CdS)
11 Wurtzite Cadmium Sulphide (w-CdS)
12 Cubic Cadmium Selenide (c-CdSe)
13 Wurtzite Cadmium Selenide (w-CdSe)
14 Cadmium Telluride (CdTe)
15 Cubic Mercury Sulphide (β-HgS)
16 Mercury Selenide (HgSe)
17 Mercury Telluride (HgTe)