半导体器件物理基础（第2版）
￥36.00定价
作者： 曾树荣
出版时间：2003-12
出版社：北京大学出版社
- 北京大学出版社
- 9787301054567
- 2版
- 84198
- 45157640-9
- 平装
- 16流
- 2003-12
- 566
- 392
- 工学
- 电子科学与技术
- TN303
- 电气信息
作者简介
内容简介
本书内容大体可分为两个部分。前两章为第一部分，介绍学习半导体器件必须的知识，包括半导体基本知识和pn结理论；其余各章为第二部分，阐述主要半导体器件的基本原理和特性，这些器件包括：双极型晶体管、化合物半导体场效应晶体管、MOS器件、微波二极管、量子效应器件和光器件。每章末均有习题，书后附有习题参考解答。
本书简明扼要，讨论深入，内容丰富，可作为大学有关专业半导体物理与器件方面课程的教材或参考书，分章节供本科生和研究生使用；也可供有关研究人员参考。
本书简明扼要，讨论深入，内容丰富，可作为大学有关专业半导体物理与器件方面课程的教材或参考书，分章节供本科生和研究生使用；也可供有关研究人员参考。
目录
主要符号表第一章 半导体基本知识 半导体中的载流子 晶格振动 载流子输运现象 半导体的光学性质第二章 p-n结 热平衡状态 耗尽区和耗尽层电容 直流特性 交流小信号特性；扩散电容 电荷存储和反向恢复时间 结的击穿第三章 双极型晶体管 基本原理 双极型晶体管的直流特性 双极型晶体管模型 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的开关特性 异质结双极晶体管 多晶硅发射极晶体管 p-n-p-n结构第四章 化合物半导体场效应晶体管 肖特基势垒和欧姆接触 GaAs MESFET 高电子迁移率晶体管第五章 MOS器件 MOS结构的基本性质 MOS场效应晶体管的基本理论 短沟道MOSFET SOI MOSFET 埋沟MOSFET 电荷耦合器件第六章 有源微波二极管 隧道二极管 共振隧穿二极管 IMPATT二极管 转移电子器件第七章 半导体激光器和光电二极管 半导体激光器的基本结构和工作原理 半导体激光器的工作特性 双异质结激光器 量子阱激光器 光电二极管主要参考文献
