III-V氮化物纳米材料的制备及性能研究 / 国家出版基金资助项目
￥98.00定价
作者： 曹传宝
出版时间：2017-06
出版社：哈尔滨工业大学出版社
- 哈尔滨工业大学出版社
- 9787560358024
- 1-1
- 73601
- 48214150-4
- 2017-06
- 工学
- 材料科学与工程
- TB383
- 材料
- 本科 研究生（硕士、EMBA、MBA、MPA、博士）
内容简介
Ⅲ-Ⅴ氮化物属于第三代半导体，具有独特的性能及应用领域，现在得以广泛应用的蓝光LED就是以氮化镓为基材制备出来的。本书内容主要是Ⅲ-Ⅴ氮化物纳米材料的研究，包括零维量子点的制备及性能，一维纳米材料的制备及性能，纳米阵列的制备及性能，以及对于Ⅲ-Ⅴ氮化物的理论模拟研究等。
目录
目录
第1章
Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体材料简介
第2章
气相反应制备GaN纳米线的催化效应
第3章
GaN纳米带和纳米带环的生长与形成机理
第4章
碳热辅助法控制生长GaN低维结构
第5章
定向排列的孪晶GaN纳米线的制备与表征
第6章
GaN纳米柱阵列的制备及表征
第7章
Fe、Co掺杂GaN纳米线的制备及性能研究
第8章
GaN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究
第9章
GaN纳米晶体及其复合材料的制备及性能
第10章
GaN的理论模拟研究
第11章
AIN纳米结构的可控制备与表征
第12章
单晶InN纳米线的制备及表征
第13章
InN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究
参考文献
名词索引
第1章
Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体材料简介
第2章
气相反应制备GaN纳米线的催化效应
第3章
GaN纳米带和纳米带环的生长与形成机理
第4章
碳热辅助法控制生长GaN低维结构
第5章
定向排列的孪晶GaN纳米线的制备与表征
第6章
GaN纳米柱阵列的制备及表征
第7章
Fe、Co掺杂GaN纳米线的制备及性能研究
第8章
GaN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究
第9章
GaN纳米晶体及其复合材料的制备及性能
第10章
GaN的理论模拟研究
第11章
AIN纳米结构的可控制备与表征
第12章
单晶InN纳米线的制备及表征
第13章
InN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究
参考文献
名词索引
