目 录__eol__第1章 概述 1__eol__1.1 集成电路的设计流程和设计工具 3__eol__1.1.1 集成电路的设计流程 3__eol__1.1.2 设计工具（EDA tools） 5__eol__1.1.3 设计方法介绍 7__eol__1.2 集成电路制造流程 9__eol__1.3 可制造性检查与设计制造协同优化 19__eol__1.3.1 可制造性检查（DFM） 20__eol__1.3.2 设计与制造技术协同优化（DTCO） 20__eol__本章参考文献 21__eol__第2章 集成电路物理设计 22__eol__2.1 设计导入 23__eol__2.1.1 工艺设计套件的组成 23__eol__2.1.2 标准单元 24__eol__2.1.3 设计导入流程 25__eol__2.1.4 标准单元类型选取及IP列表 26__eol__2.2 布图与电源规划 26__eol__2.2.1 芯片面积规划 26__eol__2.2.2 电源网络设计 27__eol__2.2.3 SRAM、IP、端口分布 28__eol__2.2.4 低功耗设计与通用功耗格式导入 28__eol__2.3 布局 30__eol__2.3.1 模块约束类型 30__eol__2.3.2 拥塞 31__eol__2.3.3 图形密度 32__eol__2.3.4 库交换格式优化 32__eol__2.3.5 锁存器的位置分布 33__eol__2.3.6 有用时钟偏差的使用 33__eol__2.4 时钟树综合 35__eol__2.4.1 CTS Specification介绍 35__eol__2.4.2 时钟树级数 35__eol__2.4.3 时钟树单元选取及分布控制 36__eol__2.4.4 时钟树的生成及优化 36__eol__2.5 布线 36__eol__2.5.1 非常规的设计规则 36__eol__2.5.2 屏蔽 37__eol__2.5.3 天线效应 37__eol__2.6 签核 39__eol__2.6.1 静态时序分析 39__eol__2.6.2 功耗 44__eol__2.6.3 物理验证 45__eol__本章参考文献 47__eol__第3章 光刻模型 48__eol__3.1 基本的光学成像理论 48__eol__3.1.1 经典衍射理论 48__eol__3.1.2 阿贝成像理论 53__eol__3.2 光刻光学成像理论 54__eol__3.2.1 光刻系统的光学特征 54__eol__3.2.2 光刻成像理论 67__eol__3.3 光刻胶模型 74__eol__3.3.1 光刻胶阈值模型 74__eol__3.3.2 光刻胶物理模型 75__eol__3.4 光刻光学成像的评价指标 77__eol__3.4.1 关键尺寸及其均匀性 77__eol__3.4.2 对比度和图像对数斜率 78__eol__3.4.3 掩模误差增强因子 79__eol__3.4.4 焦深与工艺窗口 80__eol__3.4.5 工艺变化带（PV-band） 82__eol__本章参考文献 82__eol__第4章 分辨率增强技术 84__eol__4.1 传统分辨率增强技术 86__eol__4.1.1 离轴照明 86__eol__4.1.2 相移掩模 89__eol__4.2 多重图形技术 92__eol__4.2.1 双重及多重光刻技术 93__eol__4.2.2 自对准双重及多重图形成像技术 99__eol__4.2.3 裁剪技术 104__eol__4.3 光学邻近效应修正技术 107__eol__4.3.1 RB-OPC和MB-OPC 108__eol__4.3.2 亚分辨辅助图形添加 109__eol__4.3.3 逆向光刻技术 110__eol__4.3.4 OPC技术的产业化应用 113__eol__4.4 光源?掩模联合优化技术 117__eol__4.4.1 SMO技术的发展历史与基本原理 117__eol__4.4.2 SMO技术的产业化应用 119__eol__本章参考文献 123__eol__第5章 刻蚀效应修正 125__eol__5.1 刻蚀效应修正流程 126__eol__5.2 基于规则的刻蚀效应修正 128__eol__5.2.1 基于规则的刻蚀效应修正的方法 128__eol__5.2.2 基于规则的刻蚀效应修正的局限性 129__eol__5.3 基于模型的刻蚀效应修正 132__eol__5.3.1 刻蚀工艺建模 132__eol__5.3.2 基于模型的刻蚀效应修正概述 134__eol__5.3.3 刻蚀模型的局限性 135__eol__5.4 EPC修正策略 136__eol__5.5 非传统的刻蚀效应修正流程 139__eol__5.5.1 新的MBRT刻蚀效应修正流程 139__eol__5.5.2 刻蚀效应修正和光刻解决方案的共优化 139__eol__5.6 基于机器学习的刻蚀效应修正 140__eol__5.6.1 基于人工神经网络的刻蚀偏差预测 140__eol__5.6.2 刻蚀邻近效应修正算法 141__eol__5.6.3 基于机器学习的刻蚀偏差预测模型案例 142__eol__本章参考文献 143__eol__第6章 可制造性设计 145__eol__6.1 DFM的内涵和外延 145__eol__6.1.1 DFM的内涵 145__eol__6.1.2 DFM的外延 148__eol__6.2 增强版图的健壮性 149__eol__6.2.1 关键区域图形分析（CAA） 149__eol__6.2.2 增大接触的可靠性 150__eol__6.2.3 减少栅极长度和宽度变化对器件性能的影响 151__eol__6.2.4 版图健壮性的计分模型 152__eol__6.3 与光刻工艺关联的DFM 153__eol__6.3.1 使用工艺变化的带宽（PV-band）来评估版图的可制造性 153__eol__6.3.2 使用聚集深度来评估版图的可制造性 155__eol__6.3.3 光刻坏点的计分系统（scoring system） 157__eol__6.3.4 对光刻工艺友好的设计 160__eol__6.3.5 版图与掩模一体化仿真 161__eol__6.4 与CMP工艺关联的DFM 162__eol__6.4.1 CMP的工艺缺陷及其仿真 162__eol__6.4.2 对CMP工艺友好的版图设计 164__eol__6.4.3 填充冗余金属（dummy fill） 165__eol__6.4.4 回避困难图形 165__eol__6.5 DFM的发展及其与设计流程的结合 166__eol__6.5.1 全工艺流程的DFM 166__eol__6.5.2 DFM工具及其与设计流程的结合 168__eol__6.6 提高器件可靠性的设计（DFR） 170__eol__6.6.1 与器件性能相关的DFR 170__eol__6.6.2 与铜互连相关的DFR 172__eol__6.7 基于设计的测量与DFM结果的验证 172__eol__6.7.1 基于设计的测量（DBM） 172__eol__6.7.2 DFM规则有效性的评估 174__eol__本章参考文献 174__eol__第7章 设计与工艺协同优化 177__eol__7.1 工艺流程建立过程中的DTCO 178__eol__7.1.1 不同技术节点DTCO的演进 178__eol__7.1.2 器件结构探索 181__eol__7.1.3 设计规则优化 183__eol__7.1.4 面向标准单元库的DTCO 194__eol__7.2 设计过程中的DTCO 201__eol__7.2.1 考虑设计和工艺相关性的物理设计方法 201__eol__7.2.2 考虑布线的DTCO 205__eol__7.2.3 流片之前的DTCO 213__eol__7.3 基于版图的良率分析及坏点检测的DTCO 216__eol__7.3.1 影响良率的关键图形的检测 217__eol__7.3.2 基于版图的坏点检测 222__eol__本章参考文献 226__eol__附录A 专业词语检索 229__eol__