第1章 半导体器件与集成电路 001
1.1 集成电路相关专业特点 001
1.2 平面工艺的发展与集成电路的诞生 002
1.3 摩尔定律——始于器件，用于电路 003
1.3.1 摩尔定律的提出和发展 003
1.3.2 新型器件对摩尔定律的支撑作用 005
1.3.3 新型MOS 器件——FinFET（鳍式场效应晶体管） 007
1.3.4 新型MOS 器件——GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管） 011
1.4 本章 小结 013

第2章 新型器件在半导体存储器中的应用 014
2.1 存储器系统 014
2.1.1 存储器的分类 015
2.1.2 半导体存储芯片的基本结构与性能指标 018
2.1.3 存储系统的层次结构 025
2.1.4 习题 027
2.2 新型器件推动半导体存储器的发展 028
2.2.1 半导体存储器概况 028
2.2.2 SRAM 存储器 030
2.2.3 DRAM 存储器 033
2.2.4 Flash 存储器 038
2.2.5 磁阻随机存取存储器（MRAM） 042
2.2.6 习题 046
2.3 存储器的阵列设计 046
2.3.1 引言 046
2.3.2 存储器外围电路 049
2.3.3 存储器中的功耗 057
2.3.4 习题 059
2.4 本章 小结 059

第3章 射频器件 060
3.1 射频和无线技术简介 061
3.1.1 无线世界 061
3.1.2 射频集成电路设计的挑战性 061
3.1.3 射频系统示意图 063
3.1.4 关于器件-集成电路在射频领域中的协同设计 064
3.2 通信概念 065
3.2.1 信号的调制与解调 065
3.2.2 模拟调制 066
3.2.3 数字调制 068
3.2.4 频谱再增长 069
3.2.5 移动射频通信 070
3.2.6 多址访问技术 073
3.2.7 习题 078
3.3 射频收发机原理及结构 079
3.3.1 射频收发机工作原理 079
3.3.2 接收机结构 080
3.3.3 发射机结构 081
3.3.4 习题 082
3.4 低噪声放大器的工作原理及设计 083
3.4.1 LNA 介绍 083
3.4.2 LNA 性能和评价指标 083
3.4.3 功率匹配与噪声匹配 084
3.4.4 常见的LNA 设计实例 087
3.4.5 习题 088
3.5 功率放大器的工作原理及设计 089
3.5.1 PA 介绍 089
3.5.2 PA 的设计基础与分类 089
3.5.3 常见的PA 设计实例 092
3.5.4 习题 093
3.6 混频器的工作原理及设计 093
3.6.1 混频器介绍 093
3.6.2 混频器分类与设计指标 094
3.6.3 混频器设计实例 097
3.6.4 习题 099
3.7 无锡市在射频器件领域的集成电路企业介绍（扫码阅读） 099

第4章 新型集成无源器件 100
4.1 新型集成无源器件的概念及发展现状 101
4.1.1 概念 101
4.1.2 发展现状 102
4.1.3 未来挑战 103
4.1.4 习题 104
4.2 薄膜电阻（TFR）的性能指标及设计 104
4.2.1 简介 104
4.2.2 基本参数 106
4.2.3 电阻类型 107
4.2.4 大功率电阻 107
4.2.5 电阻模型 109
4.2.6 电阻电学表示方法 110
4.2.7 有效电导率 111
4.2.8 热敏电阻 111
4.2.9 习题 112
4.3 螺旋电感（SI）的性能指标及设计 112
4.3.1 简介 112
4.3.2 基本定义 112
4.3.3 电感结构 115
4.3.4 印刷电感 115
4.3.5 基于硅（Si）衬底的电感 116
4.3.6 基于砷化镓（GaAs）衬底的电感 118
4.3.7 习题 119
4.4 金属-绝缘体-金属（MIM）电容的性能指标及设计 119
4.4.1 简介 119
4.4.2 电容参数 120
4.4.3 片式电容种类 121
4.4.4 分离型平行极板电容器模型 122
4.4.5 金属-绝缘体-金属（MIM）电容模型 123
4.4.6 习题 126
4.5 基于ADS 软件仿真薄膜电阻、螺旋电感和金属-绝缘体-金属电容 126
4.5.1 ADS2015 仿真软件简介 126
4.5.2 ADS 仿真薄膜电阻 128
4.5.3 ADS 仿真螺旋电感 131
4.5.4 ADS 仿真MIM 电容 133
4.5.5 习题 134

第5章 新型有机半导体器件 135
5.1 有机集成电路的研究进展 136
5.1.1 有机集成电路的基本概念与核心优势 136
5.1.2 关键材料体系的突破 137
5.1.3 有机器件工艺与集成技术 138
5.1.4 有机集成电路设计与性能演进 138
5.1.5 有机半导体系统级集成与应用验证 139
5.1.6 挑战与未来展望 141
5.1.7 习题 142
5.2 有机场效应晶体管 142
5.2.1 有机场效应晶体管的基本概述 142
5.2.2 有机场效应晶体管的结构 143
5.2.3 有机场效应晶体管（OFET）的工作原理 144
5.2.4 有机场效应晶体管（OFET）的性能参数 145
5.2.5 影响有机场效应晶体管性能的因素 147
5.2.6 有机场效应晶体管（OFET）的材料 149
5.2.7 有机场效应晶体管的制作 152
5.2.8 习题 153
5.3 有机太阳能电池 153
5.3.1 有机太阳能电池的基本概述 153
5.3.2 有机太阳能电池的器件结构 154
5.3.3 有机太阳能电池的工作原理 156
5.3.4 有机太阳能电池的性能参数 157
5.3.5 有机活性层材料 158
5.3.6 习题 159
5.4 有机电存储器 159
5.4.1 有机电存储器的结构 160
5.4.2 有机电存储器的工作原理 161
5.4.3 有机电存储器的性能参数 162
5.4.4 有机电存储材料 163
5.4.5 习题 164
5.5 有机光电探测器 164
5.5.1 有机光电探测器的基本结构 165
5.5.2 有机光电探测器的工作原理 166
5.5.3 有机光电探测器的性能参数 167
5.5.4 有机光电探测器的活性层和电极材料 168
5.5.5 习题 169

第6章 功率半导体器件 170
6.1 概述 170
6.1.1 不可控型功率器件 171
6.1.2 半控型功率器件 171
6.1.3 全控型功率器件 172
6.1.4 功率器件及功率集成电路发展历程 174
6.2 VDMOS 功率器件 175
6.2.1 VDMOS 的结构 175
6.2.2 VDMOS 的导通电阻 176
6.2.3 VDMOS 的I-V 特性 179
6.2.4 VDMOS 的开关特性 180
6.3 LDMOS 功率器件 185
6.3.1 LDMOS 的结构 185
6.3.2　LDMOS的导通电阻186
6.3.3　LDMOS的I-V特性188
6.4　IGBT功率器件189
6.4.1　IGBT的结构189
6.4.2　IGBT的I-V特性190
6.4.3　IGBT的阻断特性192
6.4.4　IGBT的开关特性194
6.4.5　IGBT的闩锁效应198
6.5　功率器件研究现状小结199

参考文献 200