目 录__eol__第一部分 半导体基础__eol__第1章 半导体概要 2__eol__1.1 半导体材料的特性 2__eol__1.1.1 材料的原子构成 2__eol__1.1.2 纯度 3__eol__1.1.3 结构 4__eol__1.2 晶体结构 5__eol__1.2.1 单胞的概念 5__eol__1.2.2 三维立方单胞 5__eol__1.2.3 半导体晶格 7__eol__1.2.4 密勒指数 8__eol__1.3 晶体的生长 11__eol__1.3.1 超纯硅的获取 11__eol__1.3.2 单晶硅的形成 12__eol__1.4 小结 13__eol__习题 13__eol__第2章 载流子模型 17__eol__2.1 量子化概念 17__eol__2.2 半导体模型 18__eol__2.2.1 价键模型 18__eol__2.2.2 能带模型 19__eol__2.2.3 载流子 21__eol__2.2.4 带隙和材料分类 22__eol__2.3 载流子的特性 22__eol__2.3.1 电荷 22__eol__2.3.2 有效质量 23__eol__2.3.3 本征材料内的载流子数 24__eol__2.3.4 载流子数的控制—掺杂 24__eol__2.3.5 与载流子相关的术语 28__eol__2.4 状态和载流子分布 28__eol__2.4.1 态密度 28__eol__2.4.2 费米分布函数 29__eol__2.4.3 平衡载流子分布 32__eol__2.5 平衡载流子浓度 33__eol__2.5.1 n型和p型的公式 33__eol__2.5.2 n型和p型表达式的变换 35__eol__2.5.3 ni和载流子浓度乘积np 36__eol__2.5.4 电中性关系 39__eol__2.5.5 载流子浓度的计算 40__eol__2.5.6 费米能级EF的确定 41__eol__2.5.7 载流子浓度与温度的关系 43__eol__2.6 小结 45__eol__习题 46__eol__第3章 载流子输运 51__eol__3.1 漂移 51__eol__3.1.1 漂移的定义与图像 51__eol__3.1.2 漂移电流 52__eol__3.1.3 迁移率 53__eol__3.1.4 电阻率 58__eol__3.1.5 能带弯曲 61__eol__3.2 扩散 64__eol__3.2.1 扩散的定义与可视化 64__eol__3.2.2 热探针测量法 66__eol__3.2.3 扩散和总电流 67__eol__3.2.4 扩散系数与迁移率的关系 68__eol__3.3 复合-产生 71__eol__3.3.1 复合-产生的定义与可视化 71__eol__3.3.2 动量分析 73__eol__3.3.3 R-G统计 74__eol__3.3.4 少子寿命 78__eol__3.4 状态方程 81__eol__3.4.1 连续性方程 81__eol__3.4.2 少子扩散方程 82__eol__3.4.3 问题的简化和求解 83__eol__3.4.4 解答问题 84__eol__3.5 补充的概念 88__eol__3.5.1 扩散长度 88__eol__3.5.2 准费米能级 89__eol__3.6 小结 91__eol__习题 93__eol__第4章 器件制备基础 101__eol__4.1 制备过程 101__eol__4.1.1 氧化 101__eol__4.1.2 扩散 104__eol__4.1.3 离子注入 106__eol__4.1.4 光刻 108__eol__4.1.5 薄膜淀积 109__eol__4.1.6 外延 111__eol__4.2 器件制备实例 112__eol__4.2.1 pn结二极管的制备 112__eol__4.2.2 计算机CPU的工艺流程 113__eol__4.3 小结 117__eol__第一部分补充读物和复习 118__eol__可选择的/补充的阅读资料列表 118__eol__图的出处/引用的参考文献 119__eol__术语复习一览表 119__eol__第一部分—复习题和答案 121__eol__第二部分A pn结二极管__eol__第5章 pn结的静电特性 132__eol__5.1 引言 132__eol__5.1.1 结的相关术语/理想杂质分布 132__eol__5.1.2 泊松方程 133__eol__5.1.3 定性解 134__eol__5.1.4 内建电势(Vbi) 136__eol__5.1.5 耗尽近似 139__eol__5.2 定量的静电关系式 140__eol__5.2.1 假设和定义 140__eol__5.2.2 VA = 0条件下的突变结 141__eol__5.2.3 VA ≠ 0条件下的突变结 144__eol__5.2.4 结果分析 147__eol__5.2.5 线性缓变结 150__eol__5.3 小结 152__eol__习题 152__eol__第6章 pn结二极管：I -V特性 158__eol__6.1 理想二极管方程 158__eol__6.1.1 定性推导 158__eol__6.1.2 定量求解方案 161__eol__6.1.3 严格推导 165__eol__6.1.4 结果分析 166__eol__6.2 与理想情况的偏差 173__eol__6.2.1 理论与实验的比较 173__eol__6.2.2 反向偏置的击穿 175__eol__6.2.3 复合-产生电流 181__eol__6.2.4 VA→Vbi时的大电流现象 186__eol__6.3 一些需要特别考虑的因素 189__eol__6.3.1 电荷控制方法 189__eol__6.3.2 窄基区二极管 190__eol__6.4 小结 193__eol__习题 194__eol__第7章 pn结二极管：小信号导纳 201__eol__7.1 引言 201__eol__7.2 反向偏置结电容 202__eol__7.2.1 基本信息 202__eol__7.2.2 C-V关系 203__eol__7.2.3 参数提取和杂质分布 206__eol__7.2.4 反向偏置电导 209__eol__7.3 正向偏置扩散导纳 210__eol__7.3.1 基本信息 210__eol__7.3.2 导纳关系式 212__eol__7.4 小结 216__eol__习题 217__eol__第8章 pn结二极管：瞬态响应 219__eol__8.1 瞬态关断特性 219__eol__8.1.1 引言 219__eol__8.1.2 定性分析 220__eol__8.1.3 存贮延迟时间 223__eol__8.1.4 总结 224__eol__8.2 瞬态开启特性 227__eol__8.3 小结 230__eol__习题 231__eol__第9章 光电二极管 234__eol__9.1 引言 234__eol__9.2 光电探测器 235__eol__9.2.1 pn结光电二极管 235__eol__9.2.2 p-i-n和雪崩光电二极管 237__eol__9.3 太阳能电池 240__eol__9.3.1 太阳能电池基础 240__eol__9.3.2 效率研究 240__eol__9.3.3 太阳能电池工艺 242__eol__9.4 LED 243__eol__9.4.1 概述 243__eol__9.4.2 商用LED 245__eol__9.4.3 LED封装和光输出 248__eol__第二部分B BJT和其他结型器件__eol__第10章 BJT基础知识 251__eol__10.1 基本概念 251__eol__10.2 制备工艺 254__eol__10.3 静电特性 255__eol__10.4 工作原理简介 257__eol__10.5 特性参数 259__eol__10.6 小结 260__eol__习题 261__eol__第11章 BJT静态特性 264__eol__11.1 理想晶体管模型 264__eol__11.1.1 求解方法 264__eol__11.1.2 通用解(W为任意值) 267__eol__11.1.3 简化关系式(W LB) 270__eol__11.1.4 埃伯斯-莫尔方程和模型 274__eol__11.2 理论和实验的偏差 276__eol__11.2.1 理想特性与实验特性的比较 277__eol__11.2.2 基区宽度调制 279__eol__11.2.3 穿通 280__eol__11.2.4 雪崩倍增和击穿 281__eol__11.2.5 几何效应 285__eol__11.2.6 复合-产生电流 287__eol__11.2.7 缓变基区 288__eol__11.2.8 品质因素 289__eol__11.3 现代BJT结构 290__eol__11.3.1 多晶硅发射极BJT 290__eo