第1章　绪论 1__eol__1.1　半导体器件的发展历程 1__eol__1.1.1 晶体管的发展历程 1__eol__1.1.2 半导体存储器的发展历程 3__eol__1.1.3 微处理器的发展历程 4__eol__1.1.4 我国集成电路产业的发展历程 6__eol__1.2　集成电路的发展历程 7__eol__1.2.1 集成电路的概念 7__eol__1.2.2 集成电路制造的流程 9__eol__1.2.3 集成电路产业 10__eol__1.3　微电子学的特点 11__eol__第2章　半导体物理基础 13__eol__2.1　半导体的概念 13__eol__2.1.1 半导体材料 13__eol__2.1.2 半导体的基本类型 14__eol__2.1.3 半导体的原子价键 16__eol__2.2　半导体能带理论 17__eol__2.2.1 孤立原子的电子能量 17__eol__2.2.2 自由空间和晶体的电子能量 17__eol__2.2.3 绝缘体、半导体和导体的能带 18__eol__2.2.4 半导体的电子有效质量 19__eol__2.3　半导体中的载流子分布规律 20__eol__2.3.1 状态密度 20__eol__2.3.2 载流子的统计分布 22__eol__2.3.3 导带的电子浓度和价带的空穴浓度 23__eol__2.3.4 本征半导体和杂质半导体的载流子浓度 23__eol__2.4　半导体输运 26__eol__2.4.1 载流子的漂移运动 26__eol__2.4.2 掺杂浓度和温度对迁移率和电阻率的影响 28__eol__2.4.3 非平衡载流子和复合 30__eol__2.4.4 载流子的扩散运动 31__eol__2.4.5 爱因斯坦关系 32__eol__第3章　半导体器件基础 35__eol__3.1　PN结 35__eol__3.1.1 平衡状态下的PN结 35__eol__3.1.2 PN结的单向导电性 40__eol__3.1.3 非平衡状态下的PN结 40__eol__3.1.4 PN结的击穿 44__eol__3.1.5 PN结的应用 46__eol__3.2　金属-半导体接触 48__eol__3.2.1 金属-半导体接触的能带图 49__eol__3.2.2 界面态对肖特基势垒的影响 52__eol__3.2.3 镜像力对肖特基势垒的影响 53__eol__3.2.4 金属-半导体接触整流理论 54__eol__3.2.5 肖特基二极管与PN结二极管的比较 56__eol__3.2.6 欧姆接触 56__eol__3.3　半导体异质结 57__eol__3.3.1 半导体异质结的能带结构 57__eol__3.3.2 平衡状态下半导体异质结的特性 61__eol__3.3.3 半导体异质结的电流-电压特性及注入特性 65__eol__3.3.4 半导体异质结量子阱结构与应变异质结结构 72__eol__3.4　双极晶体管 74__eol__3.4.1 双极晶体管的基本结构 74__eol__3.4.2 双极晶体管的工作原理 76__eol__3.4.3 双极晶体管的非理想效应 79__eol__3.4.4 双极晶体管的击穿特性 81__eol__3.4.5 双极晶体管的频率响应 82__eol__3.4.6 双极晶体管的制备工艺 84__eol__3.5　MOS管 85__eol__3.5.1 MOS管的基本结构——MOS电容 85__eol__3.5.2 MOS管的分类 90__eol__3.5.3 MOS管的工作原理 91__eol__3.5.4 MOS管的非理想效应 94__eol__3.5.5 MOS管等比例缩小规则 98__eol__3.5.6 CMOS工艺的简述 99__eol__第4章　半导体工艺 104__eol__4.1　硅平面工艺类型 104__eol__4.2　氧化工艺 106__eol__4.2.1 二氧化硅薄膜的概述 106__eol__4.2.2 硅的热氧化 107__eol__4.3　掺杂工艺 108__eol__4.3.1 扩散工艺 108__eol__4.3.2 离子注入工艺 110__eol__4.4　半导体薄膜制备工艺 111__eol__4.4.1 薄膜沉积 111__eol__4.4.2 薄膜沉积的方法 112__eol__4.4.3 半导体薄膜材料 112__eol__4.5　外延工艺 113__eol__4.5.1 外延生长的简介 113__eol__4.5.2 硅外延生长的基本原理 113__eol__4.5.3 外延生长中的自掺杂 113__eol__4.5.4 外延工艺的设备 114__eol__4.6　光刻工艺与刻蚀工艺 115__eol__4.6.1 光刻工艺与刻蚀工艺的简介 115__eol__4.6.2 光刻工艺的原理 115__eol__4.6.3 光刻工艺的发展 116__eol__4.6.4 刻蚀工艺 116__eol__4.7　集成电路的测试技术与封装技术 117__eol__4.7.1 集成电路的测试技术 117__eol__4.7.2 集成电路的封装技术 120__eol__第5章　集成电路设计基础 124__eol__5.1　集成电路的设计流程 124__eol__5.1.1 集成电路的设计特点 124__eol__5.1.2 模拟集成电路的设计流程 125__eol__5.1.3 数字集成电路的设计流程 127__eol__5.2　集成电路版图的设计方法及设计规则 128__eol__5.2.1 版图的设计方法 128__eol__5.2.2 版图的设计规则 132__eol__5.2.3 版图设计中的失配问题 134__eol__5.3　EDA工具 137__eol__5.3.1 EDA技术的发展 137__eol__5.3.2 集成电路设计的EDA工具 137__eol__5.3.3 器件设计TCAD软件 138__eol__5.4　专用集成电路设计及SoC设计 140__eol__5.4.1 专用集成电路设计 140__eol__5.4.2 SoC设计 142__eol__第6章　数字集成电路 144__eol__6.1　组合逻辑电路 144__eol__6.1.1 逻辑门和布尔代数 144__eol__6.1.2 布尔代数和逻辑门的化简 145__eol__6.1.3 布尔代数到晶体管原理图的转换 146__eol__6.2　时序逻辑电路 147__eol__6.2.1 CMOS锁存器 147__eol__6.2.2 边沿触发的存储元件 149__eol__6.2.3 边沿触发器的时序规则 151__eol__6.2.4 D-FF在集成电路中的应用 152__eol__6.2.5 时钟产生电路 153__eol__6.3　存储器电路 155__eol__6.3.1 存储器电路的结构 156__eol__6.3.2 存储单元 157__eol__6.3.3 内存解码器 158__eol__6.3.4 读操作 161__eol__6.3.5 写操作 161__eol__6.3.6 DRAM 162__eol__6.4　HDL与FPGA 164__eol__6.4.1 HDL 164__eol__6.4.2 PLC 165__eol__6.4.3 高级可编程逻辑电路——FPGA 170__eol____eol__第7章　模拟集成电路 172__eol__7.1　基本电流镜和放大电路 172__eol__7.1.1 简单CMOS电流镜 172__eol__7.1.2 共源放大器 174__eol__7.1.3 源极跟随器 175__eol__7.1.4 共栅放大器 176__eol__7.1.5 源极负反馈的电流镜 178__eol__7.1.6 高输出阻抗的电流镜 180__eol__7.1.7 共源共栅增益级 181__eol__7.2　比较器 183__eol__7.2.1 运放比较器 183__eol__7.2.2 电荷注入效应 185__eol__7.2.3 锁存比较器 191__eol__7.2.4 CMOS和BiCMOS比较器的例子 194__eol__7.3　数字转换器的原理 199__eol__7.3.1 理想D/A转换器 199__eol__7.3.2 理想A/D转换器 200__eol__7.3.3 量化噪声 201__eol__7.3.4 符号编码 204__eol__7.3.5 性能限制 204__eol__第8章　新型材料与器件 208__eol__8.1　后摩尔器件 208__eol__8.1.1 摩尔定律及低功耗的概念 208__eol__8.1.2 SOI器件 210__eol__8.1.3 FinFET 212__eol__8.1.4 TFET 216__eol__8.1.5 NCFET 218__eol__8.2　二维材料及器件 220__eol__8.2.1 二维材料的概念 220__eol__8.2.2 二维材料的制备 222__eol__8.2.3 二维材料器件 225__eol__8.3　柔性电子器件 229__eo